[發明專利]LED光學特性檢測方法及檢測裝置

有效

• 申請號: 201110191200.6
• 申請日: 2011-07-08
• 公開（公告）號: CN102865999A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 陳魯;夏洋;張超前;張學一
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G01M11/02
• 分類號: G01M11/02;G01R31/44
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種LED光學特性檢測方法，其特征在于，包括：提供激光光源；提供光柵，將光柵放置在激光光源的光路上；在光柵背后放置LED，使LED有源層與光柵的距離滿足泰伯距離，在LED有源層上形成光柵自成像，所述光柵自成像包括陣列式排布的照明點；采集所述LED有源層受所述陣列式排布的照明點激發產生的熒光。

2.如權利要求1所述的LED光學特性檢測方法，其特征在于，所述LED有源層與光柵的距離為分數泰伯距離，在LED有源層上形成的光柵自成像為分數光柵自成像。

3.如權利要求1所述的LED光學特性檢測方法，其特征在于，所述LED有源層至LED上表面的距離為泰伯距離，所述提供光柵的步驟包括在LED上表面設置光柵，所述光柵與LED上表面相接觸。

4.如權利要求1所述的LED光學特性檢測方法，其特征在于，所述LED有源層與LED上表面的距離不等于泰伯距離，所述提供光柵的步驟包括在LED上表面設置隔離層、在隔離層上表面設置光柵，所述隔離層與LED上表面相接觸，所述光柵與所述隔離層相接觸，所述隔離層的厚度與LED有源層至LED上表面的距離之和為泰伯距離。

5.如權利要求1所述的光學特性檢測方法，其特征在于，所述使LED有源層與光柵的距離滿足泰伯距離，在LED有源層上形成光柵自成像的步驟包括：調整LED的傾角，使LED有源層的平面和光柵自成像的平面位于同一平面上。

6.如權利要求1所述的LED光學特性檢測方法，其特征在于，所述采集所述熒光的步驟包括：在LED初始位置處，依次采集所述LED有源層受陣列式排布的各照明點產生的熒光；使LED分別沿照明點陣列的兩個方向，以照明點陣列周期/N的步進距離移動，移動N-1次，在每個步進位置處依次采集所述LED有源層受陣列式排布的各照明點產生的熒光，其中N為大于或等于1的整數。

7.如權利要求1所述的LED光學特性檢測方法，其特征在于，所述采集所述熒光的步驟包括：在LED初始位置處，同時采集陣列式排布的各照明點產生的熒光；使LED分別沿照明點陣列的兩個方向，以照明點陣列周期/N的步進距離移動，移動N-1次，在每個步進位置處同時采集所述LED有源層受陣列式排布的各照明點產生的熒光，其中N為大于或等于1的整數。

8.如權利要求1、6或7所述的LED光學特性檢測方法，其特征在于，還包括移動LED，使光柵自成像完成對整個LED有源層的光學檢測。

9.一種LED光學特性檢測裝置，其特征在于，包括激光光源、光柵、平臺、采集器，其中，

激光光源，用于提供相干光束；

光柵，用于在接收所述相干光束時形成光柵自成像；

平臺，用于承載待檢測的LED，使LED有源層與光柵的距離為泰伯距離，在LED有源層上形成光柵自成像，所述光柵自成像包括陣列式排布的照明點；

采集器，用于采集LED有源層受所述陣列式排布的照明點激發而形成的熒光。

10.如權利要求9所述的LED光學特性檢測裝置，其特征在于，所述LED有源層距離LED上表面的距離為分數泰伯距離。

11.如權利要求9所述的LED光學特性檢測裝置，其特征在于，所述LED有源層距離LED上表面的距離為泰伯距離，所述光柵位于LED上表面上且與LED上表面相接觸。

12.如權利要求9所述的LED光學特性檢測裝置，其特征在于，還包括位于LED上且與LED接觸的隔離層，所述光柵位于隔離層上且與隔離層接觸，所述隔離層的厚度與LED有源層至LED上表面距離的和為泰伯距離。

13.如權利要求12所述的LED光學特性檢測裝置，其特征在于，所述隔離層為二氧化硅。

14.如權利要求9所述的LED光學特性檢測裝置，其特征在于，所述平臺還用于控制LED的傾角，使LED有源層的平面和光柵自成像的平面位于同一平面上。

15.如權利要求9所述的LED光學特性檢測裝置，其特征在于，所述平臺還用于控制LED的移動，使LED分別沿照明點陣列的兩個方向，以照明點陣列周期/N的步進相對于光柵進行移動，其中N為大于或等于1的整數。