[發(fā)明專利]定義光阻圖案倒線規(guī)則的模型、掩膜布局、半導(dǎo)體基板及方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110190411.8
• 申請日: 2011-07-08
• 公開（公告）號: CN102737959A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 傅國貴;陳逸男;劉獻(xiàn)文
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/3105;G03F1/36
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;邢雪紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種定義光阻圖案倒線規(guī)則(collapse?rule)的模型，及用以改善光阻圖案倒線的掩膜布局、半導(dǎo)體基板及方法，特別是一種應(yīng)用于光學(xué)近接修正(post-optical?proximity?correction，post-OPC)的定義光阻圖案倒線規(guī)則的模型，及用以改善光阻圖案倒線的掩膜布局、半導(dǎo)體基板及方法。

背景技術(shù)

由于集成電路制造技術(shù)的快速發(fā)展，現(xiàn)代集成電路中的單元更為緊密，比傳統(tǒng)的集成電路中的單元間的間隔更小。例如，集成電路制造技術(shù)已從微米級變成納米等級。因此，在圖案被映像至半導(dǎo)體晶片之前，為使透過掩膜進(jìn)行曝光以準(zhǔn)確地形成圖案布局，微影技術(shù)必需更為精確地被執(zhí)行。

光阻材料應(yīng)用于圖案化及刻蝕技術(shù)，以形成如集成電路布局的結(jié)構(gòu)。因集成電路布局間隔減小，用于圖案化集成電路布局特征的光阻材料的布局間隔也減小。光阻材料經(jīng)過沉積、曝光，然后顯影制造出光阻圖案。顯影時，顯影液須在集成電路布局中，以去離子水沖洗移除。由于圖案特征具有較小的尺寸，光阻材料與抗反射層(anti-reflective?coating，ARC)間或與沉積于抗反射層的附著力改善層間的附著力，在干燥水分時，其毛細(xì)力可能超過其附著力。當(dāng)毛細(xì)力超過附著力時，圖案可能會倒線，尤其是在包括密集的線型和稀疏的線型彼此相鄰的地區(qū)。如果圖案倒線，集成電路布局即出現(xiàn)缺陷，因為集成電路布局的圖案無法進(jìn)行有效的蝕刻。

因此，有必要提供一創(chuàng)新且富有進(jìn)步性的定義光阻圖案倒線規(guī)則的模型，以及用以改善光阻圖案倒線的掩膜布局、半導(dǎo)體基板及方法，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種用于光學(xué)近接修正的定義光阻圖案倒線規(guī)則的模型，用以檢查光阻圖案的倒線。

在本發(fā)明的一實施例中，一定義光阻圖案倒線規(guī)則的模型包括二第一尺寸、一第二尺寸、一第三尺寸及一第四尺寸。所述第一尺寸及該第二尺寸相對應(yīng)一掩膜布局的兩第一線型圖案的兩第一寬度b，及一第二線型圖案的一第二寬度c。該第二線型圖案位于所述第一線型圖案之間且實質(zhì)上平行所述第一線型圖案。該第三尺寸及該第四尺寸相對應(yīng)該第二線型圖案與該等第一線型圖案間的一第一距離a及一第二距離d。其中，若d≥5a且c≥1.5b，或5a＞d≥3a且c≥1.2b，定義相對應(yīng)該第二線型圖案的該光阻圖案的一部分為非倒線。

本發(fā)明還提供一種應(yīng)用于光學(xué)近接修正、用于防止光阻圖案倒線的掩膜布局。在本發(fā)明的一實施例中，一用于防止光阻圖案倒線的掩膜布局包括至少一區(qū)域，該區(qū)域包括兩第一線型圖案及一第二線型圖案，該第一線型圖案具有一第一寬度b，該第二線型圖案具有一第二寬度c。該第二線型圖案位于所述第一線型圖案之間且實質(zhì)上平行所述第一線型圖案，該第二線型圖案與所述第一線型圖案之間具有一第一距離a及一第二距離d。其中，若d≥5a且c≥1.5b，或5a＞d≥3a且c≥1.2b，定義相對應(yīng)該第二線型圖案的該光阻圖案的一部分為非倒線。

本發(fā)明還提供一種于光學(xué)近接修正用于防止光阻圖案倒線的半導(dǎo)體基板。在本發(fā)明的一實施例中，一用于防止光阻圖案倒線的半導(dǎo)體基板包括一具有光阻圖案的光阻層，該光阻圖案包括至少一區(qū)域，該區(qū)域包括二第一線型圖案及至少一第二線型圖案，該光阻圖案相對應(yīng)一掩膜布局。該掩膜布局包括至少一區(qū)域，該掩膜布局的該區(qū)域包括具有一第一寬度b的兩第一線型圖案及具有一第二寬度c的一第二線型圖案。該掩膜布局的該第二線型圖案位于所述第一線型圖案之間且實質(zhì)上平行所述第一線型圖案，該掩膜布局的該第二線型圖案與所述第一線型圖案之間具有一第一距離a及一第二距離d。其中，若d≥5a且c≥1.5b或5a＞d≥3a且c≥1.2b，定義相對應(yīng)該掩膜布局的該第二線型圖案的該光阻圖案的一部分為非倒線。

本發(fā)明還提供一種光阻圖案倒線的定義方法，用以檢查光阻圖案的倒線。在本發(fā)明的一實施例中，一光阻圖案倒線的定義方法包括以下步驟：依據(jù)至少一測試光阻圖案的倒線部分收集至少一測試掩膜布局的倒線條件，其中所述至少一測試光阻圖案利用所述至少一測試掩膜布局所形成；依據(jù)該倒線條件建立光阻圖案倒線規(guī)則；進(jìn)行一光學(xué)近接修正，利用一掩膜布局定義一光阻圖案；及依據(jù)該光阻圖案倒線規(guī)則檢查該光阻圖案的倒線。