[發(fā)明專利]等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積基座支撐設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110189852.6 | 申請(qǐng)日: | 2005-09-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102220570A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 栗田真一;恩斯特·凱勒;約翰·M·懷特 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/54 | 分類號(hào): | C23C16/54 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 陸勍 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子 增強(qiáng) 化學(xué) 氣相淀積 基座 支撐 設(shè)備 | ||
1.一種用于在一淀積反應(yīng)腔中支撐一矩形基座的設(shè)備,包含:
至少一支撐架,位于所述淀積反應(yīng)腔外側(cè);
多個(gè)支撐軸,連接至所述至少一支撐架以支撐所述矩形基座;以及
至少四個(gè)支撐板,位于所述多個(gè)支撐軸和所述基座之間。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其進(jìn)一步包含:
至少一致動(dòng)器,連接至所述至少一支撐架。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,所述至少一支撐架進(jìn)一步包含:
一第一支撐架,位于所述反應(yīng)腔外側(cè),其是連接至多個(gè)適于支撐基座中的一個(gè)邊緣的軸桿;以及
一第二支撐架,位于所述反應(yīng)腔外側(cè),其是連接至至少一適于支撐所述基座中的一個(gè)中心區(qū)域的支撐軸。
4.一種用于在一淀積反應(yīng)腔中支撐一基座的方法,包括:
利用至少一支撐軸支撐所述基座的一中心區(qū)域;以及
利用多個(gè)支撐軸支撐所述基座的一邊緣,其中所述至少一支撐軸及多個(gè)支撐軸是延伸至所述反應(yīng)腔外側(cè),且連接到至少一垂直致動(dòng)器。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,一支撐組件連接至所述至少一支撐軸以及所述多個(gè)支撐軸的至少多個(gè)。
6.如權(quán)利要求4所述的方法,其進(jìn)一步包含:
提供一連接至所述至少一支撐軸的第一垂直致動(dòng)器以及至少一連接至所述多個(gè)支撐軸的第二垂直致動(dòng)器;以及
通過(guò)選擇性啟動(dòng)所述第一及所述至少第二垂直致動(dòng)器的方式調(diào)整所述基座的一水平輪廓。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一垂直致動(dòng)器及所述至少第二垂直致動(dòng)器是獨(dú)立作控制。
8.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,一支撐組件連接至所述至少一支撐軸以及所述多個(gè)支撐軸的至少若干個(gè)。
9.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述所要求的水平輪廓為平面。
10.一種基座支撐設(shè)備,包括:
多個(gè)支撐板,適于接觸一淀積反應(yīng)腔中的一基座,所述多個(gè)支撐板中的至少一個(gè)適于在所述基座的邊緣處接觸所述基座,且所述多個(gè)支撐板連接至延伸于所述淀積反應(yīng)腔外側(cè)的至少兩個(gè)支撐軸;
至少一架,連接至所述至少兩個(gè)支撐軸;
一移動(dòng)塊,連接至所述至少一架;
一單一致動(dòng)器,連接至所述移動(dòng)塊;
一密封物,將所述設(shè)備與所述至少兩個(gè)支撐軸周圍的周邊環(huán)境隔離;以及
一冷卻塊,連接至所述密封物。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其特征在于,所述多個(gè)支撐板中的每一個(gè)都包括:
陶瓷材料。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其特征在于,所述多個(gè)支撐板中的至少一個(gè)具有圓形形狀。
13.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其特征在于,所述多個(gè)支撐板中的至少一個(gè)具有矩形形狀。
14.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其特征在于,所述多個(gè)支撐板中的至少兩個(gè)連接至所述至少兩個(gè)支撐軸之一,其中一分支板位于它們之間。
15.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其特征在于,還包括:連接于所述多個(gè)支撐板和所述至少兩個(gè)支撐軸之間的縱向板。
16.一種用于在一淀積反應(yīng)腔中支撐一基板的設(shè)備,包括:
基座,包含第一材料;
多個(gè)基座支撐板,位于所述基座下方并與所述基座相接觸,所述基座支撐板包括與所述第一材料不同的第二材料;
多個(gè)支撐軸,連接至所述多個(gè)基座支撐板;
至少一架,連接至所述多個(gè)支撐軸;
移動(dòng)塊,連接至所述至少一架;
一單一致動(dòng)器,位于所述多個(gè)支撐板下方并連接至所述移動(dòng)塊,且所述多個(gè)支撐軸中的至少兩個(gè)位于所述多個(gè)支撐板的下方并延伸至所述淀積反應(yīng)腔外側(cè);
一密封物,將所述設(shè)備與所述多個(gè)支撐軸周圍的周邊環(huán)境隔離;以及
一冷卻塊,連接至所述密封物。
17.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述多個(gè)支撐板包括矩形形狀、圓形形狀或者這兩者的組合。
18.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,還包括:
中心板,連接至所述致動(dòng)器,適于支撐所述基座的中心區(qū)域。
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C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
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C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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