[發明專利]一種毫米波黑體后向電壓反射系數的測量方法

無效

• 申請號: 201110189586.7
• 申請日: 2011-07-07
• 公開（公告）號: CN102353849A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 程春悅;翟宏;陳晉龍;徐德忠;李芳
• 申請（專利權）人: 中國航天科工集團第二研究院二〇三所
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08
• 代理公司: 中國航天科工集團公司專利中心 11024
• 代理人: 岳潔菱

1.一種毫米波黑體后向電壓反射系數的測量方法，其特征在于該方法的具體步驟為：

第一步??搭建毫米波黑體后向電壓反射系數測量系統

測量系統包括：矢量網絡分析儀（1）、天線支架（2）、天線（3）、吸波材料（4）、直滑軌（5）、被測目標支架（6）、待測毫米波黑體（7）、光學平臺（8）、金屬平板（9）；

光學平臺（8）平置于地面上，吸波材料（4）鋪置于光學平臺（8）上面；天線支架（2）置于光學平臺（8）的左側；天線（3）置于天線支架（2）上部；矢量網絡分析儀（1）的一個端口與天線（3）的饋電端口相連；直滑軌（5）置于光學平臺（8）的右側，直滑軌（5）的運動方向與天線（3）軸線平行；被測目標支架（6）置于直滑軌（5）上部，待測毫米波黑體（7）和金屬平板（9）依次固定在被測目標支架（6）上面；

第二步??矢量網絡分析儀（1）測量毫米波黑體后向電壓反射系數

首先將待測黑體用螺釘或夾具固定在被測目標支架（6）之上，然后將帶有黑體的被測目標支架（6）置于直滑軌（5）之上，并用螺釘固定；天線（3）與矢量網絡分析儀（1）的任意一個端口相連，天線（3）軸線位于毫米波黑體的中心法線方向；在測試過程中，天線（3）的10dB寬度的主波束的照射區域位于待測毫米波黑體（7）表面之內；沿直滑軌（5）前后移動安裝有被測毫米波黑體的待測目標支架，毫米波黑體移動的距離大于矢量網絡分析儀（1）工作波長的一半，毫米波黑體移動距離大于矢量網絡分析儀（1）的5個工作波長；測量此時天線（3）口面到被測毫米波黑體的距離；然后根據矢量網絡分析儀（1）顯示的反射數值用公式（1）計算過程參數a；

??????????????????????????????（1）

公式（1）中，和分別代表被測毫米波黑體每移動半個工作波長距離時網絡分析儀測量得到的反射量模值的最大值和最小值；若與之和不隨天線（3）口面到被測毫米波黑體之間的距離變化，則公式（1）取負號；若與之差不隨天線（3）口面到被測毫米波黑體之間的距離變化，則公式（1）取正號；

將待測毫米波黑體（7）從被測目標支架（6）上取下，并將具有鏡面效果的金屬平板（9）安裝到被測目標支架（6）上；金屬平板（9）的面積大于被測毫米波黑體的最大投影面積；沿直滑軌（5）前后移動安裝有金屬平板（9）的待測目標支架，金屬平板（9）移動的距離大于矢量網絡分析儀（1）工作波長的一半，金屬平板（9）移動距離大于矢量網絡分析儀（1）的5個工作波長；金屬平板（9）的移動距離與測量毫米波黑體時的移動距離相同；然后根據矢量網絡分析儀（1）顯示的反射數值利用公式（2）計算過程參數b；

????????????????????????????（2）

公式（2）中，和分別代表金屬平板（9）每移動半個工作波長距離時網絡分析儀測量得到的反射量模值的最大值和最小值；若與之和不隨天線（3）口面到金屬平板（9）之間的距離變化，則公式（2）取負號；若與之差不隨天線（3）口面到金屬平板（9）之間的距離變化，則公式（2）取正號；

第三步??確定毫米波黑體后向電壓反射系數

利用公式（1）和（2）得到的過程參數a與b相比，如公式（3）所示，得到毫米波黑體的后向電壓反射系數；

??????????????????????????????????????（3）

至此，完成毫米波黑體后向電壓反射系數的測量及計算。