[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)及磁記錄裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110189437.0
• 申請(qǐng)日: 2011-07-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102314890A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬渕勝美;本棒享子;天羽美奈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所
• 主分類號(hào): G11B5/66
• 分類號(hào): G11B5/66;G11B5/667;G11B5/82;C03C21/00;C03C3/095
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 王永紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及可進(jìn)行大容量的信息記錄的磁記錄介質(zhì)、特別是適于高密度記錄的圖案化介質(zhì)、磁記錄介質(zhì)及使用其的磁記錄裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)，不僅個(gè)人計(jì)算機(jī)，家庭用的電氣化產(chǎn)品中也搭載小型而大容量的磁盤(pán)裝置等，磁記錄裝置的大容量化的要求強(qiáng)烈，要求提高記錄密度。為了應(yīng)對(duì)這種情況，正在努力開(kāi)發(fā)磁頭及磁記錄介質(zhì)等。原本一直在謀求提高面記錄密度，但目前開(kāi)始要求縮減尺寸或記錄密度遠(yuǎn)超過(guò)以往的飛躍性的提高。因此，提出了用槽或非磁性體分離鄰接的記錄磁道來(lái)抑制磁道間的磁性干涉的分離磁道介質(zhì)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)以及用槽或非磁性體分離鄰接的記錄位來(lái)抑制位間的磁性干涉的圖案化介質(zhì)(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。

在磁記錄介質(zhì)中，為了確保磁頭的上浮穩(wěn)定性，重視表面的平坦性。在面記錄密度高、記錄磁疇小的分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)的情況下，表面的平坦性特別重要，因此用非磁性體填充磁性體區(qū)域間的槽。進(jìn)而，與現(xiàn)有的記錄介質(zhì)同樣，即使在分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)中，為了保護(hù)記錄層及吸附潤(rùn)滑劑，一般是在記錄層之上形成碳系材料的保護(hù)膜。碳系材料中，由于類金剛石碳(以下稱作DLC)是無(wú)定形的，表面平滑性優(yōu)異，耐久性、耐腐蝕性也優(yōu)異，所以常常被利用(例如，參照專利文獻(xiàn)3)。

另一方面，在分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)的可靠性的改善方面，由利用干蝕刻等對(duì)磁性膜進(jìn)行凹凸加工時(shí)的損傷引起的腐蝕及起因于記錄層的磁性區(qū)域或非磁性區(qū)域的極微小的間隙或缺陷的腐蝕的問(wèn)題很明顯。列舉現(xiàn)有的耐腐蝕性改善技術(shù)的例子時(shí)，對(duì)于垂直磁記錄介質(zhì)，提出了關(guān)于腐蝕成為很大問(wèn)題的軟磁性基底層，通過(guò)選擇作為其上層的種子層(seed?layer)的材料或結(jié)構(gòu)的組合，使耐腐蝕性改善(例如專利文獻(xiàn)4)。進(jìn)而，對(duì)于分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)，也提出了通過(guò)在記錄層和保護(hù)膜之間形成導(dǎo)電膜而抑制磁性體區(qū)域的腐蝕(例如專利文獻(xiàn)5)。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本特開(kāi)平7-85406號(hào)公報(bào)(圖1)

[專利文獻(xiàn)2]日本特許第3286291號(hào)公報(bào)(段落編號(hào)[0025])

[專利文獻(xiàn)3]日本特開(kāi)2006-120222號(hào)公報(bào)(段落編號(hào)[0025])

[專利文獻(xiàn)4]日本特開(kāi)2007-184019號(hào)公報(bào)(圖1)

[專利文獻(xiàn)5]日本特開(kāi)2006-228282號(hào)公報(bào)(段落編號(hào)[0051])

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

然而，為了抑制磁性體區(qū)域的腐蝕而在其上層形成保護(hù)膜時(shí)，磁頭和磁記錄介質(zhì)的磁性距離增加，磁記錄特性變差。另一方面，為了改善磁特性而促進(jìn)保護(hù)膜的薄膜化時(shí)，難以獲得從耐腐蝕性的觀點(diǎn)考慮滿足產(chǎn)品性能的結(jié)果。即，判明在現(xiàn)有公知的磁記錄層的磁性體區(qū)域的防腐蝕技術(shù)中，存在不能兼顧高磁記錄特性和耐腐蝕性這樣的問(wèn)題。

本發(fā)明的第一目的在于，實(shí)現(xiàn)磁記錄特性和耐腐蝕性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)、特別是分離磁道介質(zhì)及圖案化介質(zhì)。

本發(fā)明的第二目的在于，提供充分發(fā)揮該分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)的性能的磁記錄裝置。

用于解決課題的手段

為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，使涂布在保護(hù)膜上的潤(rùn)滑層具有耐腐蝕性是很重要的。對(duì)此，大致區(qū)分有以下兩種方法。

(1)關(guān)于分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)，在涂布在保護(hù)膜上的潤(rùn)滑層中使?jié)櫥瑒┖蛯?duì)鈷或鈷合金具有抑制腐蝕作用的化合物共存。

(2)涂布用對(duì)鈷或鈷合金具有抑制腐蝕作用的官能團(tuán)修飾表現(xiàn)出潤(rùn)滑特性的化合物的至少一個(gè)末端而成的潤(rùn)滑劑。

上述磁記錄介質(zhì)的記錄層中腐蝕問(wèn)題嚴(yán)重的是磁性體區(qū)域使用的Co系合金。Co系合金不僅耐腐蝕性不優(yōu)異，而且由于在水溶液環(huán)境中帶有非常低的電位，與鄰近的金屬之間發(fā)生電偶腐蝕(不同種類金屬間腐蝕)。在顆粒型磁記錄層的情況下，為了促進(jìn)氧化物向記錄層的晶界偏析，在記錄層的底層形成Ru或Ru合金。在作為記錄層的加工部的凹部，因加工損傷而露出Ru或Ru合金層與記錄層的接觸部的情況下，由于Ru或Ru合金是貴金屬，因此電位非常高，所以記錄層的Co合金發(fā)生電偶腐蝕，比單質(zhì)的腐蝕更迅速。另外，對(duì)分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)而言，由于利用干蝕刻等對(duì)磁性膜進(jìn)行凹凸加工時(shí)受到損傷，因此磁性體區(qū)域的腐蝕加速這樣的問(wèn)題更明顯。在這一方面，發(fā)現(xiàn)：要抑制加工部中的作為記錄層的磁性體區(qū)域的腐蝕，通過(guò)在加工部中的記錄層的磁性體區(qū)域?qū)?duì)鈷或鈷合金呈現(xiàn)抑制腐蝕作用的有機(jī)物設(shè)置于涂布在潤(rùn)滑保護(hù)膜上的潤(rùn)滑層中，可以防止因不同種類金屬接觸引起的腐蝕或因加工損傷引起的腐蝕。這種情況下，選定的有機(jī)物的特性很重要。