[發(fā)明專(zhuān)利]負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性測(cè)試附加電路及測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110188627.0
• 申請(qǐng)日: 2011-07-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102866340A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮軍宏
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/26
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性測(cè)試附加電路，分別連接源-測(cè)量單元和待測(cè)PMOS，其特征在于，所述測(cè)試電路包括一個(gè)NMOS；其中，NMOS的基極通過(guò)電阻R0與NMOS的源極電連接；NMOS的漏極通過(guò)電阻R1與待測(cè)的PMOS柵極電連接；NMOS的柵極通過(guò)電阻R2與待測(cè)的PMOS柵極電連接；NMOS基極的電位設(shè)置為小于0V，源-測(cè)量單元電壓輸入端與所述NMOS的柵極相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述源-測(cè)量單元的電壓輸入端電壓小于等于0V；所述待測(cè)PMOS的源極、漏極和基極電勢(shì)設(shè)置為0V。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述R2電阻大于R1電阻。

4.一種基于如權(quán)利要求1所述的負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性測(cè)試附加電路的測(cè)試方法，其特征在于，包括：

利用所述源-測(cè)量單元通過(guò)所述負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性測(cè)試附加電路對(duì)待測(cè)PMOS施加應(yīng)力電壓；

撤去所述應(yīng)力電壓；

利用所述源-測(cè)量單元通過(guò)所述負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性測(cè)試附加電路對(duì)待測(cè)PMOS施加測(cè)試電壓，并測(cè)量對(duì)應(yīng)測(cè)試電壓的PMOS漏電流。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試電壓小于等于0，且測(cè)試電壓數(shù)值上大于等于0V且小于等于待測(cè)PMOS的工作電壓數(shù)值，應(yīng)力電壓小于0，且應(yīng)力電壓數(shù)值上大于待測(cè)PMOS的工作電壓數(shù)值。