[發明專利]硅太陽能電池金屬半導體接觸合金化制備工藝

無效

• 申請號: 201110188264.0
• 申請日: 2011-07-06
• 公開（公告）號: CN102263164A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 單文光;黃華松;曹楚輝;陸昱;謝正芳;楊雪;張藍月;李良;高彥秋;吳立望;劉為舉
• 申請（專利權）人: 楊雪
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B23K26/00
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 金輝

1.一種硅太陽能電池金屬半導體接觸合金化制備工藝，其特征在于制備步驟如下：a、將硅片(1)清洗制絨；b、擴散；c、去邊結和去磷硅玻璃；d、在硅片(1)正面鍍減反膜(2)；e、在硅片(1)正面制作金屬電極(3)；f、用激光(4)從硅片(1)反面照射金屬電極(3)；g、在硅片(1)反面制作背面電極；h、在硅片(1)反面制作背面電場；i、加熱。

2.根據權利要求1所述的硅太陽能電池金屬半導體接觸合金化制備工藝，其特征在于：步驟f中的激光(4)能穿透硅片(1)，其波長大于或等于1um，功率為1～10w，光脈沖功率為0.5～5J/cm²，頻率為1～100kHZ或連續性，光斑直徑為50～200μm。

3.根據權利要求1所述的硅太陽能電池金屬半導體接觸合金化制備工藝，其特征在于：步驟i中加熱溫度為550～650℃。

4.根據權利要求1-3中任意一項所述的硅太陽能電池金屬半導體接觸合金化制備工藝，其特征在于：步驟e中采用絲網印刷方式將金屬漿料印刷在硅片(1)正面，然后烘干形成電極。

5.根據權利要求4所述的硅太陽能電池金屬半導體接觸合金化制備工藝，其特征在于：所述烘干溫度為150～450℃。

6.根據權利要求1-3中任意一項所述的硅太陽能電池金屬半導體接觸合金化制備工藝，其特征在于：步驟e中采用電鍍的方法在硅片(1)表面電鍍金屬形成電極。

7.根據權利要求1-3中任意一項所述的硅太陽能電池金屬半導體接觸合金化制備工藝，其特征在于：步驟e中采用噴墨打印的方式在硅片(1)表面印刷金屬形成電極。

8.根據權利要求1-3中任意一項所述的硅太陽能電池金屬半導體接觸合金化制備工藝，其特征在于：步驟e中采用鍍膜的方式制作電極。

9.根據權利要求8中任意一項所述的硅太陽能電池金屬半導體接觸合金化制備工藝，其特征在于：所述鍍膜的方式為真空蒸發或濺射或離子鍍膜。