[發(fā)明專利]一種多晶硅表面兩次酸刻蝕織構(gòu)的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110188048.6
• 申請日: 2011-07-06
• 公開（公告）號: CN102867880A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周藝;郭長春;李蕩;黃岳文;肖斌;歐衍聰
• 申請（專利權(quán)）人: 長沙理工大學(xué)
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多晶硅表面兩次酸刻蝕織構(gòu)制備方法，其特征包括以下工藝步驟：

1）配制一定濃度的以HF-HNO₃為基礎(chǔ)的酸溶液，使HF濃度為3mol/L-3.3mol/L，HNO₃濃度為9mol/L-9.8mol/L,循環(huán)時間為2小時；

2）控制酸刻蝕液溫度為3-10℃，損傷層密度不同的硅片于溶液中反應(yīng)40-60s,然后用去離子水清洗；

3）清洗后的硅片于2%的NaOH溶液中反應(yīng)10s，去除表面的多孔硅，然后用去離子水清洗；

4）清洗后的硅片于5%的HF和10%的HCl混合溶液中反應(yīng)30s,?去除表面的金屬離子和氧化層，然后用去離子水清洗后吹干；

5）控制酸刻蝕液溫度為6-12℃，將之前刻蝕后的硅片，放入酸刻蝕液中進行二次酸刻蝕織構(gòu)，反應(yīng)時間控制在40-60s；

6）二次酸刻蝕織構(gòu)后的硅片于2%的NaOH溶液中反應(yīng)10s，去除表面的多孔硅，然后用去離子水清洗；

7）清洗后的硅片于HF和HCl混合溶液中反應(yīng)30s,?去除表面的金屬離子和氧化層，然后用去離子水清洗后吹干；

8）依次進行擴散，等離子刻蝕，去磷硅玻璃，PECVD，絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)工藝，將硅片做成太陽電池片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于采用了二次酸刻蝕織構(gòu)工藝和所述HF濃度控制為3mol/L-3.3mol/L，HNO₃濃度控制為9mol/L-9.8mol/L；第一次腐蝕溫度控制在3℃-10℃，反應(yīng)時間為40s-60s；第二次腐蝕溫度控制在6℃-12℃，第二次腐蝕時間為40s-60s。