[發(fā)明專利]多流向元胞集成的LDMOS功率器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110187985.X
• 申請日: 2011-07-06
• 公開（公告）號: CN102867826A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜一波;杜寰
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/02
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 鄭瑜生

1.一種LDMOS功率器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體基底；

多邊形狀的LDMOS陽極元胞和多邊形狀的LDMOS陰極元胞，其中，所述陽極元胞和陰極元胞交錯排列于所述半導(dǎo)體基底之中；

位于所述陽極元胞和陰極元胞之間的漂移區(qū)；

將所有LDMOS陽極元胞連接得到的正極，以及將所有LDMOS陰極元胞連接得到的負極。

2.如權(quán)利要求1所述的LDMOS功率器件，其特征在于，所述多邊形狀包括四邊形、六邊形或八邊形。

3.如權(quán)利要求1所述的LDMOS功率器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基底材料包括硅、砷化鎵或碳化硅。

4.如權(quán)利要求1所述的LDMOS功率器件，其特征在于，在P型半導(dǎo)體基底上生長微米級別厚的P型外延得到所述半導(dǎo)體基底，淀積多晶硅柵通過擴散工藝在柵的一側(cè)橫向擴散形成所述漂移區(qū)，通過離子注入過程形成N型接觸注入?yún)^(qū)得到所述LDMOS陰極元胞和陽極元胞。

5.如權(quán)利要求1所述的LDMOS功率器件，其特征在于，在N型半導(dǎo)體基底上生長微米級別厚的N型外延得到所述半導(dǎo)體基底，淀積多晶硅柵通過擴散工藝在柵的一側(cè)橫向擴散形成所述漂移區(qū)，通過離子注入過程形成P型接觸注入?yún)^(qū)得到所述LDMOS陰極元胞和陽極元胞。

6.如權(quán)利要求5或4任意之一所述的LDMOS功率器件，其特征在于，任意相鄰成對的所述陽極元胞和陰極元胞構(gòu)成具有完整結(jié)構(gòu)的LDMOS器件。

7.如權(quán)利要求6所述的LDMOS功率器件，其特征在于，當(dāng)所述正負極接閾值電壓時，流入所述LDMOS功率器件的電流由所述陽極元胞呈多流向流入附近的所述陰極元胞。