[發明專利]非易失性存儲器件、存儲系統和執行讀操作的方法

有效

• 申請號: 201110187946.X
• 申請日: 2011-07-06
• 公開（公告）號: CN102314941B
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 金承范
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/14;G11C16/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

相關申請的交叉引用

本發明要求2010年7月6日提交的韓國專利申請No.10-2010-64665的 優先權，其主題通過引入在此并入。

技術領域

本公開涉及操作非易失性存儲器件的方法、非易失性存儲器件和包括該 器件的系統。更具體地，本公開涉及在各種讀操作期間調整施加到非易失性 存儲單元的控制信號的性質和定時的方法。

背景技術

非易失性存儲器件和包括該器件的存儲系統已經成為在當代電子設備和 數字數據系統中的設計主體部分。存在許多不同類型的非易失性存儲器，包 括電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)。所謂的“快閃存儲器”是一類 EEPROM并且被廣泛地使用，因為它不僅允許如隨機訪問存儲器(RAM)一 樣的隨機編程性，而且能夠如只讀存儲器(ROM)一樣在缺乏施加的電源時 維持存儲的數據。由于這些品質，快閃存儲器現在被廣泛地用于數據存儲介 質中，尤其在諸如膝上型和記事本型的計算機、數字照相機、個人數字助理 (PDA)和MP3播放器的便攜電子設備中。

發明內容

本發明構思的具體實施例提供一種操作非易失性存儲器件的方法，包括： 在針對具有正的閾值電壓且連接在選擇的字線和選擇的位線之間的非易失性 存儲單元的讀操作期間，施加正的讀電壓到選擇的字線和施加第一控制信號 到與選擇的位線連接的頁緩沖器，以及在針對具有負的閾值電壓的存儲單元 的讀操作期間，施加負的讀電壓到選擇的字線和施加不同于第一控制信號的 第二控制信號到頁緩沖器。

在相關方面，第二控制信號比第一控制信號引起相對更多的電荷在選擇 的位線上累積或維持。

在另一相關方面，第一控制信號定義第一讀操作間隔，該第一讀操作間 隔包括第一放電間隔、第一預充電間隔、第一發展間隔和第一讀出間隔；以 及第二控制信號定義包括第二放電間隔、第二預充電間隔、第二發展間隔和 第二讀出間隔的第二讀操作間隔。

在另一相關方面，第二讀操作間隔在持續時間上比第一讀操作間隔長。

在另一相關方面，其中第二預充電間隔在持續時間上比第一預充電間隔 長。

在另一相關方面，第二讀操作間隔在持續時間上比第一讀操作間隔長。

在另一相關方面，第二預充電間隔在第二讀操作間隔中比第一預充電間 隔在第一讀操作間隔中開始得相對更早。

在另一相關方面，第二發展間隔在第二讀操作間隔中比第一發展間隔在 第一讀操作間隔中開始得相對晚些。

在另一相關方面，正的讀電壓施加到選擇的字線和負的讀電壓施加到選 擇的字線在讀操作間隔的至少一部分內相對于初始字線電壓對稱。

在另一相關方面，正的讀電壓施加到選擇的字線和負的讀電壓施加到選 擇的字線在讀操作間隔的至少一部分內相對于初始字線電壓不對稱。

在另一相關方面，負的讀電壓施加到選擇的字線比正的讀電壓占據讀操 作間隔的更長的部分。

在另一相關方面，以相對于負的目標電壓的一電壓斜坡特征將負的讀電 壓施加到選擇的字線，該電壓斜坡特征與施加到選擇的字線的正的讀電壓相 對于正的目標電壓的電壓斜坡特征不同。

在另一相關方面，朝向負的目標電壓的負的讀電壓的電壓斜坡特征比朝 向正的目標電壓的正的讀電壓的電壓斜坡特征更陡。

在另一相關方面，在初始字線電壓和與正的讀電壓相關的正的目標電壓 之間的正的差的絕對值小于在初始字線電壓和與負的讀電壓相關的負的目標 電壓之間的負的差的絕對值。

在另一相關方面，讀操作是編程-讀-驗證操作，或擦除-讀-驗證操作。

在另一相關方面，非易失性存儲單元是多電平存儲單元(MLC)。

在另一相關方面，非易失性存儲單元是NAND類型的快閃存儲單元。

在另一實施例中，本發明構思提供一種操作非易失性存儲器件的方法， 包括：在針對連接在選擇的字線和選擇的位線之間的存儲單元并且對選擇的 字線施加正的讀電壓的讀操作期間，在相對于其中對選擇的字線施加正的讀 電壓的時間的第一時間處對選擇的位線施加位線電壓；以及在針對該存儲單 元并且對選擇的字線施加負的讀電壓的讀操作期間，在比第一時間晚的第二 時間處對選擇的位線施加位線電壓，以使得位線電壓的施加發生在其中負的 讀電壓從初始字線電壓轉換到負的目標電壓的間隔期間。