[發明專利]一種絕緣體上硅場效應晶體管熱阻提取方法無效
| 申請號： | 201110187366.0 | 申請日： | 2011-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN102353885A | 公開（公告）日： | 2012-02-15 |
| 發明（設計）人： | 畢津順;海潮和;韓鄭生;羅家俊 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣體 場效應 晶體管 提取 方法 | ||
1.一種絕緣體上硅場效應晶體管熱阻提取方法，該方法包括以下步驟：
對絕緣體上硅場效應晶體管施加偏置電壓，分別獲取所述絕緣體上硅場效應晶體管的體源電流與功耗、以及所述絕緣體上硅場效應晶體管的體源電流與局部溫度之間的對應關系；
根據上述對應關系，計算所述絕緣體上硅場效應晶體管的熱阻值。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，獲取所述絕緣體上硅場效應晶體管的體源電流與功耗之間的對應關系的步驟包括：
在所述絕緣體上硅場效應晶體管的局部溫度為恒溫的條件下，對所述絕緣體上硅場效應晶體管的漏電極施加不同的偏置電壓，以獲取所述絕緣體上硅場效應晶體管的體源電流與功耗之間的第一關系曲線；
計算所述第一關系曲線的第一線性斜率。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，漏電極和體電極之間的結面處于反向偏置狀態。
4.根據權利要求2或3所述的方法，其中：
將所述絕緣體上硅場效應晶體管的基底層以及源電極分別接地；
對所述體電極和柵電極分別施加0.7V和3.3V的偏置電壓；以及
對所述漏電極施加的偏置電壓的范圍為1V-3.3V。
5.根據權利要求2所述的方法，其中，獲取所述絕緣體上硅場效應晶體管的體源電流與局部溫度之間的對應關系的步驟包括：
改變所述絕緣體上硅場效應晶體管的局部溫度，并對所述絕緣體上硅場效應晶體管的體電極施加不同的偏置電壓，以獲取所述絕緣體上硅場效應晶體管的體源電流與局部溫度之間的第二關系曲線；
計算所述第二關系曲線的第二線性斜率。
6.根據權利要求5中所述的方法，其中：
將所述絕緣體上硅場效應晶體管的基底層、源電極以及柵電極分別接地；以及
對所述體電極施加的偏置電壓的范圍為0V-1V。
7.根據權利要求5中所述的方法，其中，所述計算所述絕緣體上硅場效應晶體管的熱阻值的步驟包括：
計算所述第一線性斜率與所述第二線性斜率之間的比值。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所，未經中國科學院微電子研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110187366.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種汽車發電機的電磁兼容測試工裝
- 下一篇：一種不燒鎂鈣碳磚及制備方法
