[發(fā)明專利]記憶體陣列的擦除方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110187321.3
• 申請日: 2011-06-28
• 公開（公告）號: CN102855935A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃竣祥
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/16
• 分類號: G11C16/16;G11C16/04
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種記憶體陣列的擦除方法，其特征在于其中該記憶體陣列包括多個記憶胞串，每一該些記憶胞串包括連接至多條字元線的多個記憶胞，該記憶體陣列的擦除方法包括以下步驟：

提供一第一電壓至該記憶體陣列的一基底；

提供一第二電壓至一選定記憶胞的一字元線，并提供多個導(dǎo)通電壓至其余的字元線；以及

分別提供一第三電壓與一第四電壓至該選定記憶胞的第一源極/漏極區(qū)與第二源極/漏極區(qū)，以利用帶對帶熱空穴注入法來擦除該選定記憶胞，其中該第三電壓不等于該第四電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體陣列的擦除方法，其特征在于其中每一該些記憶胞串還包括一第一晶體管與一第二晶體管，且該記憶體陣列的擦除方法還包括：

導(dǎo)通連接至該選定記憶胞的該第一晶體管與該第二晶體管的其中之一，或是同時導(dǎo)通連接至該選定記憶胞的該第一晶體管與該第二晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體陣列的擦除方法，其特征在于其中每一該些記憶胞串還包括一第一晶體管與一第二晶體管，且該記憶體陣列的擦除方法還包括：

導(dǎo)通連接至該選定記憶胞的該第一晶體管，以提供該第三電壓至該選定記憶胞的第一源極/漏極區(qū)；以及

關(guān)閉連接至該選定記憶胞的該第二晶體管，以使連接至該選定記憶胞的第二源極/漏極區(qū)的該些記憶胞的通道自我升壓至該第四電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體陣列的擦除方法，其特征在于其中每一該些記憶胞串還包括一第一晶體管與一第二晶體管，且該記憶體陣列的擦除方法還包括：

導(dǎo)通連接至該選定記憶胞的該第一晶體管，以提供該第三電壓至該選定記憶胞的第一源極/漏極區(qū)；以及

導(dǎo)通連接至該選定記憶胞的該第二晶體管，以提供該第四電壓至該選定記憶胞的第二源極/漏極區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的記憶體陣列的擦除方法，其特征在于其中所述的第三電壓為一接地電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體陣列的擦除方法，其特征在于還包括：分別提供一第五電壓與一第六電壓至連接該字元線的一非選定記憶胞的第一源極/漏極區(qū)與第二源極/漏極區(qū)，以禁止該非選定記憶胞被擦除。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體陣列的擦除方法，其特征在于其中每一該些記憶胞串還包括一第一晶體管與一第二晶體管，且該記憶體陣列的擦除方法還包括：

同時關(guān)閉連接至該非選定記憶胞所屬的該記憶胞串的該第一晶體管與該第二晶體管，以使連接至該非選定記憶胞的第一源極/漏極區(qū)的該些記憶胞的通道自我升壓至該第五電壓，并使連接至該非選定記憶胞的第二源極/漏極區(qū)的該些記憶胞的通道自我升壓至該第六電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體陣列的擦除方法，其特征在于其中每一該些記憶胞串還包括一第一晶體管與一第二晶體管，且該記憶體陣列的擦除方法更包括：

同時導(dǎo)通連接至該非選定記憶胞所屬的該記憶胞串的該第一晶體管與該第二晶體管，以分別提供該第五電壓及該第六電壓至該非選定記憶胞的第一源極/漏極區(qū)及第二源極/漏極區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的記憶體陣列的擦除方法，其特征在于其中每一該些記憶胞串還包括一第一晶體管與一第二晶體管，且該記憶體陣列的擦除方法還包括：

關(guān)閉連接至該非選定記憶胞所屬的該記憶胞串的該第一晶體管，以使連接至該非選定記憶胞的第一源極/漏極區(qū)的該些記憶胞的通道自我升壓至該第五電壓；以及

導(dǎo)通連接至該非選定記憶胞所屬的該記憶胞串的該第二晶體管，以提供該第六電壓至該非選定記憶胞的第二源極/漏極區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體陣列的擦除方法，其特征在于其中所述的第二電壓小于0。