[發明專利]功率溝槽式金屬氧化物半導體場效應晶體管制作工藝

無效

• 申請號: 201110187077.0
• 申請日: 2011-07-05
• 公開（公告）號: CN102280384A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 劉憲周;張怡
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;C23C16/44
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種功率溝槽式金屬氧化物半導體場效應晶體管制作工藝，其特征在于，包括步驟：

提供半導體襯底；

在半導體襯底中制作出溝槽；

在溝槽表面及襯底表面制作犧牲氧化層；

去除犧牲氧化層；

采用化學氣相沉積工藝在溝槽表面及襯底表面沉積柵氧化層；

在柵氧化層上沉積多晶硅；

去除溝槽外的柵氧化層及多晶硅；

依次摻雜形成溝道區及源摻雜區，并完成柵電極、源電極和漏電極的制作。

2.如權利要求所述的制作工藝，其特征在于，所述化學氣相沉積工藝為低壓化學氣相沉積工藝。

3.如權利要求2所述的制作工藝，其特征在于，所述低壓化學氣相沉積工藝為高溫氧化沉積工藝。

4.如權利要求3所述的制作工藝，其特征在于，所述柵氧化層為450埃～1200埃、反應溫度為720-900攝氏度、操作壓力在0.1托爾-1托爾之間以及反應氣體為SiH₂Cl₂及N₂O。

5.如權利要求1所述的制作工藝，其特征在于，所述化學氣相沉積工藝為等離子增強化學氣相沉積工藝。

6.如權利要求9所述的制作工藝，其特征在于，所述等離子增強化學氣相沉積工藝的反應溫度低于400攝氏度。