[發(fā)明專利]動(dòng)態(tài)體偏置型C類反相器及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110186904.4
• 申請(qǐng)日: 2011-07-05
• 公開（公告）號(hào): CN102291103A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅豪;韓雁;張澤松;梁國(guó);廖璐;虞春英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): H03K3/01
• 分類號(hào): H03K3/01;H03K3/356
• 代理公司: 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種動(dòng)態(tài)體偏置型C類反相器，其特征在于，包括開關(guān)體偏置型C類反相器、第一增益自舉模塊、第二增益自舉模塊、PMOS體電位調(diào)制模塊和NMOS體電位調(diào)制模塊；

其中，所述的開關(guān)體偏置型C類反相器由第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和四個(gè)開關(guān)組成；其中，第一PMOS管的柵端與第一NMOS管的柵端相連，第一PMOS管的源端接第一參考電平，第一PMOS管的體端同時(shí)接第一開關(guān)和第二開關(guān)的輸入端，第一開關(guān)的輸出端接第一參考電平，第二開關(guān)的輸出端接所述PMOS體電位調(diào)制模塊輸出的體偏置電壓，第一PMOS管的漏端接第二PMOS管的源端；第二PMOS管的柵端接所述第一增益自舉模塊，第二PMOS管的體端接所述PMOS體電位調(diào)制模塊輸出的體偏置電壓，第二PMOS管的漏端接第二NMOS管的漏端；第二NMOS管的體端接所述NMOS體電位調(diào)制模塊輸出的體偏置電壓，第二NMOS管的柵端接所述第二增益自舉模塊，第二NMOS管的源端接第一NMOS管的漏端；第一NMOS管的源端接第一參考地，第一NMOS管的體端同時(shí)接第三開關(guān)和第四開關(guān)的輸入端，第三開關(guān)的輸出端接第一參考地，第四開關(guān)的輸出端接所述NMOS體電位調(diào)制模塊輸出的體偏置電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)體偏置型C類反相器，其特征在于，所述的第一增益自舉模塊由第三PMOS管和第三NMOS管組成；其中，

第三PMOS管的柵端與第二PMOS管的源端相連，第三PMOS管的漏端與第二PMOS管的柵端相連，第三PMOS管的源端接第一參考電平，第三PMOS管的體端接所述PMOS體電位調(diào)制模塊輸出的體偏置電壓；

第三NMOS管的柵端與自身漏端相連，同時(shí)與第三PMOS管的漏端相連，第三NMOS管的源端接第一參考地，第三NMOS管的體端接所述NMOS體電位調(diào)制模塊輸出的體偏置電壓。

3.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)體偏置型C類反相器，其特征在于，所述的第二增益自舉模塊由第四PMOS管和第四NMOS管組成；其中，

第四NMOS管的柵端與第二NMOS管的源端相連，第四NMOS管的漏端與第二NMOS管的柵端相連，第四NMOS管的源端接第一參考地，第四NMOS管的體端接所述NMOS體電位調(diào)制模塊輸出的體偏置電壓；

第四PMOS管的柵端與自身漏端相連，同時(shí)與第四NMOS管的漏端相連，第四PMOS管的源端接第一參考電平，第四PMOS管的體端接所述的PMOS體電位調(diào)制模塊輸出的體偏置電壓。

4.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)體偏置型C類反相器，其特征在于，所述的PMOS體電位調(diào)制模塊由第五PMOS管和第一電阻組成，第五PMOS管的源端和體端均接第一參考電平，第五PMOS管的柵端接第一共模電壓，第五PMOS管的漏端輸出體偏置電壓，與第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的體端相連，并通過第二開關(guān)與第一PMOS管的體端相連，第五PMOS管的漏端同時(shí)與第一電阻的一端相連，第一電阻的另一端接第一共模電壓。

5.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)體偏置型C類反相器，其特征在于，所述的NMOS體電位調(diào)制模塊由第五NMOS管和第二電阻組成，第五NMOS管的源端和體端均接第一參考地，第五NMOS管的柵端接第一共模電壓，第五NMOS管的漏端輸出體偏置電壓，與第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的體端相連，并通過第四開關(guān)與第一NMOS管的體端相連，第五NMOS管的漏端同時(shí)連接第二電阻的一端，第二電阻的另一端接第一共模電壓。

6.采用如權(quán)利要求1～5任一所述的動(dòng)態(tài)體偏置型C類反相器的偽差分結(jié)構(gòu)開關(guān)電容積分器，其特征在于：包含兩個(gè)所述的動(dòng)態(tài)體偏置型C類反相器，兩個(gè)所述的動(dòng)態(tài)體偏置型C類反相器分別位于開關(guān)電容積分器正向和負(fù)向支路，差分對(duì)稱形成偽差分結(jié)構(gòu)。

7.采用如權(quán)利要求6所述的偽差分結(jié)構(gòu)開關(guān)電容積分器的2-1級(jí)聯(lián)Sigma-Delta模數(shù)轉(zhuǎn)換器，包括2-1級(jí)聯(lián)模擬調(diào)制器和數(shù)字抽取濾波器，其特征在于：所述的2-1級(jí)聯(lián)模擬調(diào)制器包含第一級(jí)調(diào)制器和第二級(jí)調(diào)制器，第二級(jí)調(diào)制器與第一級(jí)調(diào)制器級(jí)聯(lián)，用于調(diào)制前級(jí)產(chǎn)生的量化誤差；其中，第一級(jí)調(diào)制器包含二個(gè)所述的偽差分結(jié)構(gòu)開關(guān)電容積分器，即第一積分器和第二積分器，所述的第一積分器和第二積分器單環(huán)串聯(lián)構(gòu)成二階單環(huán)結(jié)構(gòu)；而第二級(jí)調(diào)制器包含一個(gè)所述的偽差分結(jié)構(gòu)開關(guān)電容積分器，即第三積分器，構(gòu)成一階結(jié)構(gòu)。