[發(fā)明專利]均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110186795.6 | 申請日： | 2011-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN102351193A | 公開（公告）日： | 2012-02-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉春江;黃哲慶;段連;袁希鋼 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津大學(xué) |
| 主分類號： | C01B33/03 | 分類號： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人： | 王麗 |
| 地址： | 300072 天*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 均勻 取熱式 多晶 還原 底盤 冷卻 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結(jié)構(gòu)，包括還原爐底盤上底板、還原爐底盤下底板、還原爐底盤中間隔板、電極、進(jìn)氣口、電極套筒、多根導(dǎo)流管、多個底盤冷卻水進(jìn)口、底盤冷卻水出口、底盤法蘭、底盤上空腔、底盤下空腔；其特征是還原爐底盤上底板、還原爐底盤中間隔板、還原爐底盤下底板都焊接在底盤法蘭上，且底盤中間隔板位于底盤法蘭正中間。
2.如權(quán)利要求1所述的均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結(jié)構(gòu)，其特征是還原爐底盤上的每一根電極的周圍都有一個電極套筒，電極套筒直接焊接到還原爐底盤中間隔板上，電極套筒與電極之間有2mm～10mm環(huán)隙，電極套筒與還原爐底盤上底板和還原爐底盤下底板之間有2mm～10mm的縫隙。
3.如權(quán)利要求1所述的均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結(jié)構(gòu)，其特征是還原爐底盤中間隔板外圓周焊接有12～30根導(dǎo)流管，導(dǎo)流管與還原爐底盤上底板和還原爐底盤下底板之間有2mm～10mm的縫隙，導(dǎo)流管與底盤法蘭的間距為30mm～60mm，且均勻分布在同一圓周上。
4.如權(quán)利要求1所述的均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結(jié)構(gòu)，其特征是還原爐底盤下底板均勻分布6～12個底盤冷卻水進(jìn)口，且均勻分布在同一圓周上。
5.如權(quán)利要求1所述的均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結(jié)構(gòu)，其特征是還原爐底盤中間隔板正中心分布1個底盤冷卻水出口。
6.如權(quán)利要求1所述的均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結(jié)構(gòu)，其特征是還原爐底盤上底板與還原爐底盤中間隔板形成了一個底盤上空腔，底盤上空腔與底盤冷卻水出口相連通；還原爐底盤下底板和還原爐底盤中間隔板形成了一個底盤下空腔，底盤下空腔與底盤冷卻水進(jìn)口相連通。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天津大學(xué)，未經(jīng)天津大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110186795.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
