[發明專利]均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結構有效
| 申請號： | 201110186795.6 | 申請日： | 2011-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN102351193A | 公開（公告）日： | 2012-02-15 |
| 發明（設計）人： | 劉春江;黃哲慶;段連;袁希鋼 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | C01B33/03 | 分類號： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 王麗 |
| 地址： | 300072 天*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 均勻 取熱式 多晶 還原 底盤 冷卻 結構 | ||
1.一種均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結構，包括還原爐底盤上底板、還原爐底盤下底板、還原爐底盤中間隔板、電極、進氣口、電極套筒、多根導流管、多個底盤冷卻水進口、底盤冷卻水出口、底盤法蘭、底盤上空腔、底盤下空腔；其特征是還原爐底盤上底板、還原爐底盤中間隔板、還原爐底盤下底板都焊接在底盤法蘭上，且底盤中間隔板位于底盤法蘭正中間。
2.如權利要求1所述的均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結構，其特征是還原爐底盤上的每一根電極的周圍都有一個電極套筒，電極套筒直接焊接到還原爐底盤中間隔板上，電極套筒與電極之間有2mm～10mm環隙，電極套筒與還原爐底盤上底板和還原爐底盤下底板之間有2mm～10mm的縫隙。
3.如權利要求1所述的均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結構，其特征是還原爐底盤中間隔板外圓周焊接有12～30根導流管，導流管與還原爐底盤上底板和還原爐底盤下底板之間有2mm～10mm的縫隙，導流管與底盤法蘭的間距為30mm～60mm，且均勻分布在同一圓周上。
4.如權利要求1所述的均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結構，其特征是還原爐底盤下底板均勻分布6～12個底盤冷卻水進口，且均勻分布在同一圓周上。
5.如權利要求1所述的均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結構，其特征是還原爐底盤中間隔板正中心分布1個底盤冷卻水出口。
6.如權利要求1所述的均勻取熱式多晶硅還原爐底盤冷卻結構，其特征是還原爐底盤上底板與還原爐底盤中間隔板形成了一個底盤上空腔，底盤上空腔與底盤冷卻水出口相連通；還原爐底盤下底板和還原爐底盤中間隔板形成了一個底盤下空腔，底盤下空腔與底盤冷卻水進口相連通。
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