[發(fā)明專利]一種帶狀束流離子源電源控制系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110186473.1 | 申請日: | 2011-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN102867721A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張繼恒;唐景庭;孫勇 | 申請(專利權(quán))人: | 北京中科信電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/302 | 分類號: | H01J37/302;H01J37/317 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 101111 北京市中關(guān)村科*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 帶狀 流離 電源 控制系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種帶狀束流離子源電源控制系統(tǒng),尤其的涉及離子注入機,屬于半導體器件制造設(shè)備領(lǐng)域。
背景技術(shù)
離子源是離子注入機的一個重要部件,其作用在于使需要注入的物質(zhì)(如硼、磷、砷)的原子電離成為離子,其性能好壞對整機的性能影響極大,尤其對束流的強度、品質(zhì)、束流能量及整機注入的穩(wěn)定性有著決定性的影響。離子源的性能,除與本身的結(jié)構(gòu)設(shè)計有關(guān)外,還與使氣體電離產(chǎn)生離子的燈絲電源、偏壓電源和弧壓電源有極大關(guān)系。對這幾個電源的控制是離子源能產(chǎn)生所需離子的關(guān)鍵。帶裝束流離子源要求從離子源發(fā)出的離子束具有較大的寬度,本專利所涉及的離子源束流寬度超過了300mm,為了使離子源產(chǎn)生較為均勻的束流,滿足集成電路工藝和生產(chǎn)的要求,必須保證離子源電源控制系統(tǒng)的穩(wěn)定和高效。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即是針對上述要求而提出的一種結(jié)構(gòu)簡單、可靠性高的帶狀束流離子源電源控制系統(tǒng)。
本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
一種帶狀束流離子源電源控制系統(tǒng),包括:主控計算機(1)、光纖通信控制卡(2)、I/O信號控制器(3)、燈絲電源(4)、偏壓電源(5)、弧壓電源(6)。所述的光纖通信控制卡(2)插在主控計算機(1)的PCI插槽上,光纖通信控制卡(2)和I/O信號控制器(3)之間通過光纖連接傳輸數(shù)據(jù)。燈絲電源(4)、偏壓電源(5)、弧壓電源(6)的控制端分別和遠程I/O信號板(3)的信號端連接,同時這三種電源的電源輸出端分別和離子源燈絲(7)、離子源陰極(8)和弧室壁(9)相連。
本發(fā)明具有如下顯著優(yōu)點:
1.I/O信號控制器(3)到內(nèi)光纖通信控制卡(2)之間的連接使用光纖,有效的防止了離子源打火對信號傳輸?shù)母蓴_。
2.使用兩個燈絲電源(4)和兩個偏壓電源(5),分別加在離子源兩個燈絲(7)和陰極(8)上,這種連接方便對兩個燈絲所加電源的獨立控制,有利于在弧室兩端產(chǎn)生較寬的均勻離子束流。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步的介紹,但不作為對本發(fā)明的限定。
圖1為一種帶狀束流離子源電源控制系統(tǒng)的原理框圖;
圖2為一種帶狀束流離子源電源控制系統(tǒng)的離子源電源連接示意圖。
具體實施方式
如參考圖1所示,一種帶狀束流離子源電源控制系統(tǒng),包括:主控計算機(1)、光纖通信控制卡(2)、I/O信號控制器(3)、燈絲電源(4)、偏壓電源(5)、弧壓電源(6)。光纖通信控制卡2插在主控計算機(1)的PCI插槽上,光纖通信控制卡(2)和I/O信號控制器(3)之間通過光纖連接傳輸數(shù)據(jù)。光纖通訊控制卡(2)將主控計算機(1)發(fā)出的命令數(shù)據(jù)通過光纖傳輸?shù)絀/O信號控制器(3),I/O信號控制器(3)將接收到的光信號轉(zhuǎn)換為電信號,經(jīng)過地址確認,發(fā)送給燈絲電源(4)、偏壓電源(5)、弧壓電源(6)的控制端,從而設(shè)定這五個電源的輸出電流或是電壓。同時,這五個電源的電流或是電壓反饋值也從各自的控制端通過I/O信號控制器(3)傳送給光纖通信控制卡(2),從而主控計算機(1)能夠讀取這些反饋值。
如參考圖2所示,為離子源電源連接示意圖,因為要產(chǎn)生的離子是正離子,所以偏壓電源(5)的正極接在離子源陰極上,負極和離子源燈絲(7)相連,而弧壓電源(6)的正極和離子源弧室壁(8)等電位。
以上所述已對本發(fā)明的內(nèi)容做了詳盡說明。對本領(lǐng)域一般技術(shù)人員而言,在不背離本發(fā)明精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動,都構(gòu)成對本發(fā)明專利的侵犯,將承擔相應(yīng)的法律責任。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京中科信電子裝備有限公司,未經(jīng)北京中科信電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110186473.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種互動式立體成像裝置
- 下一篇:超薄偏光鏡片及其模具





