[發明專利]半導體結構及其制作方法以及制作半導體布局的方法有效
| 申請號: | 201110186432.2 | 申請日: | 2011-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN102867811A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發明(設計)人: | 黃家緯;陳明瑞;黃俊憲 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/528 | 分類號: | H01L23/528;H01L21/768;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 結構 及其 制作方法 以及 制作 布局 方法 | ||
1.一種半導體結構,包括:
布線圖案,該布線圖案包括至少一第一線段與一第二線段,且至少部分該第一線段與部分該第二線段于鄰接區域內彼此鄰接;以及
連接圖案,設置于該鄰接區域內,且電性連接該第一線段與該第二線段。
2.如權利要求1所述的半導體結構,其中該第一線段與該第二線段以對齊或不對齊方式排列。
3.如權利要求1所述的半導體結構,其中該第一線段與該第二線段形成一字形形狀、T字形形狀、或L字形形狀。
4.如權利要求1所述的半導體結構,其中該第一線段與該第二線段共平面。
5.如權利要求1所述的半導體結構,其中該連接圖案設置于該第一線段與該第二線段之上或之下。
6.如權利要求1所述的半導體結構,其中該布線圖案包括金屬內連線的溝槽圖案。
7.如權利要求1所述的半導體結構,其中該連接圖案包括金屬內連線的介層洞、虛設介層洞圖案或接觸洞圖案。
8.一種制作半導體布局的方法,包括:
提供第一布局,該第一布局包括多個布線圖案;
提供第二布局,該第二布局包括多個連接圖案;
于該第一布局的該多個布線圖案中定義至少一個第一待切割圖案,該多個第一待切割圖案分別與該多個連接圖案重疊;
于該第一待切割圖案與該連接圖案的重疊處切分該多個第一待切割圖案,以分解該第一布局形成第三布局與第四布局;以及
分別輸出該第三布局與該第四布局至第一光掩模與第二光掩模上。
9.如權利要求8所述的方法,還包括于該第一布局的該多個布線圖案中定義至少一個第二待切割圖案,且該多個第二待切割圖案與該多個布線圖案的間距違反預定規則。
10.如權利要求9所述的方法,還包括于切分該多個第一待切割圖案時同時切分該多個第二待切割圖案,以分解該第一布局形成該第三布局與該第四布局。
11.如權利要求10所述的方法,其中該第三布局與該第四布局分別包括部分該多個布線圖案與部分該第二待切割圖案,且該多個布線圖案與該多個第二待切割圖案的間距皆符合該預定規則。
12.如權利要求8所述的方法,其中該多個第一待切割圖案分別被切分形成切割部分與對應切割部分,該第三布局包括該多個切割部分,而該第四布局包括該多個對應切割部分。
13.如權利要求12所述的方法,還包括于形成該第三布局與該第四布局之后對該第三布局與該第四布局進行修正步驟,以指向該多個對應切割部分的方向延長該第三布局的該多個切割部分,并以指向該多個切割部分的方向延長該第四布局的該多個對應切割部分。
14.如權利要求8所述的方法,還包括于形成該第三布局與該第四布局之后對該第三布局與該第四布局分別進行光學鄰近修正方法。
15.如權利要求8所述的方法,其中該第一布局包括金屬內連線的溝槽布局。
16.如權利要求8所述的方法,其中該第二布局包括金屬內連線的介層洞布局、虛設介層洞布局或接觸洞布局。
17.一種制作半導體布局的方法,包括:
提供第一布局,該第一布局包括多個布線圖案;
于該多個布線圖案中定義出多個待切割圖案;
提供第二布局,該第二布局包括多個第一連接圖案;
于該第二布局中加入多個第二連接圖案,且該多個第二連接圖案分別與該多個切割圖案重疊;以及
輸出該第二布局至第一光掩模上。
18.如權利要求17所述的方法,其中該多個待切割圖案與該多個布線圖案的間距違反預定規則。
19.如權利要求18所述的方法,還包括進行切分該多個待切割圖案的步驟,以切分該多個待切割圖案而形成第三布局與第四布局。
20.如權利要求19所述的方法,其中該第三布局與該第四布局分別包括部分該多個布線圖案,且該多個布線圖案的間距皆符合該預定規則。
21.如權利要求19所述的方法,其中該多個待切割圖案分別被切分形成切割部分與對應切割部分,該第三布局包括該多個切割部分,而該第四布局包括該多個對應切割部分。
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