[發明專利]一種適用于三維集成技術的模版對準方法

無效

• 申請號: 201110185954.0
• 申請日: 2011-07-05
• 公開（公告）號: CN102290361A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 陳倩文;呂建強;王喆垚;劉理天
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/768
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 朱琨

1.一種用于三維集成的模版對準方法，其特征在于，所述模板對準方法為：以深槽對準模板為定位基準，將平板對準裝置嵌入深槽對準模板，兩者在垂直方向上重疊；深槽對準模板的內側面與平板對準裝置的外側面接觸。

2.根據權利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準方法，其特征在于，所述基片為芯片或晶圓。

3.根據權利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準方法，其特征在于，所述深槽對準模板和平板對準裝置通過在基片表面添加高分子聚合物材料制備，或者直接在基片襯底上制備。

4.根據權利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準方法，其特征在于，所述深槽對準模板和平板對準裝置的制備方法為：光刻、刻蝕、切割、壓印、激光燒蝕或者混合制備方法。

5.根據權利要求4所述的一種用于三維集成的模版對準方法，其特征在于，所述混合制備方法為：將光刻、刻蝕、切割、壓印和激光燒蝕中的兩種或兩種以上制備方法相結合。

6.根據權利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準方法，其特征在于，所述深槽對準模板和平板對準裝置的數量為1至n個。

7.根據權利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準方法，其特征在于，所述深槽對準模板制造在基片的正面或基片的背面，平板對準裝置制造在基片的正面、背面或側面。

8.根據權利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準方法，其特征在于，所述深槽對準模板和平板對準裝置的形狀為圓形、線形、多邊形或混合形狀。

9.根據權利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準方法，其特征在于，所述混合形狀為：圓形、線形、多邊形中的兩種或兩種以上形狀相結合而成的形狀。

10.根據權利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準方法，其特征在于，所述模板對準方法能夠將對準后的兩層基片視為一層基片，表面再制備深槽對準模板或平板對準裝置，實現三層或三層以上基片的對準。