[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件中金屬硅化物層電阻的仿真方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110185880.0
• 申請日: 2011-07-04
• 公開（公告）號: CN102254846A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范象泉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件中金屬硅化物層電阻的仿真方法，其特征在于，包括：

對于同一具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件，選取長度或?qū)挾戎辽儆幸徊幌嗤亩嘟M金屬硅化物層樣本，測量各組金屬硅化物層樣本的平均方塊電阻；

判斷各組金屬硅化物層樣本的平均方塊電阻是否相同；若相同，則確定所述半導(dǎo)體器件中的金屬硅化物層由單相金屬硅化物材料構(gòu)成；若不相同，則確定所述半導(dǎo)體器件中的金屬硅化物層由多相金屬硅化物材料構(gòu)成；

對于單相金屬硅化物材料，以所述單相金屬硅化物材料對應(yīng)的方塊電阻值作為電阻模型中的方塊電阻參數(shù)，建立單相金屬硅化物材料的電阻模型；在后續(xù)對于所述半導(dǎo)體器件中金屬硅化物層電阻仿真時，基于所述單相金屬硅化物材料的電阻模型，結(jié)合仿真時的電壓及溫度環(huán)境，對所述金屬硅化物層電阻進行仿真；

對于多相金屬硅化物材料，獲取多相金屬硅化物材料在所述半導(dǎo)體器件的金屬硅化物層中的分布情況；根據(jù)所述分布情況，獲取各相金屬硅化物材料的方塊電阻與所述金屬硅化物層的方塊電阻的關(guān)系；基于所述各相金屬硅化物材料的方塊電阻與所述金屬硅化物層的方塊電阻的關(guān)系形成電阻模型中的方塊電阻參數(shù)，建立多相金屬硅化物材料的電阻模型；在后續(xù)對于所述半導(dǎo)體器件中金屬硅化物層電阻仿真時，基于所述多相金屬硅化物材料的電阻模型，結(jié)合仿真時所處的電壓及溫度環(huán)境，對所述金屬硅化物層電阻進行仿真。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件中金屬硅化物層電阻的仿真方法，其特征在于，選取長度或?qū)挾戎辽儆幸徊幌嗤亩嘟M金屬硅化物層樣本包括：至少選取三種長度值、三種寬度值，并將所選擇的長度值和寬度值互相組合，構(gòu)成多組金屬硅化物層樣本。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件中金屬硅化物層電阻的仿真方法，其特征在于，獲取多相金屬硅化物材料在所述金屬硅化物層中的分布情況包括：獲取多相金屬硅化物材料在所述金屬硅化物層中的面積分布情況；

根據(jù)所述分布情況，獲取各相金屬硅化物材料的方塊電阻與所述金屬硅化物層的方塊電阻的關(guān)系包括：以單位長度的金屬硅化物層中各相金屬硅化物材料所占寬度關(guān)系以及各相金屬硅化物材料的方塊電阻表示所述金屬硅化物層的方塊電阻。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件中金屬硅化物層電阻的仿真方法，其特征在于，所述金屬硅化物層由兩種相的金屬硅化物材料構(gòu)成；

所述金屬硅化物層的方塊電阻由下式表示：

Rsh=Rsh1×Rsh2×WRsh2×W1+Rsh1×W2]]>

其中，R_sh為所述金屬硅化物層的方塊電阻，R_sh1為第一種相的金屬硅化物材料的方塊電阻，R_sh2為第二種相的金屬硅化物材料的方塊電阻，W為所述金屬硅化物層的寬度，W1為第一種相的金屬硅化物材料在所述金屬硅化物層所占寬度，W2為第二種相的金屬硅化物材料在所述金屬硅化物層所占寬度，并且滿足W＝W1+W2。