[發明專利]存儲裝置

有效

• 申請號: 201110185434.X
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102314934A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 肥后豐;內田裕行;大森廣之;別所和宏;細見政功;山根一陽
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16;G11C11/15
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種存儲裝置，所述存儲裝置包括單元陣列，所述單元陣列包括以形成陣列的方式布置的存儲器件，其中，

各所述存儲器件具有：

存儲層，所述存儲層用于基于磁體的磁化狀態存儲信息；

磁化固定層，所述磁化固定層具有固定的磁化方向；以及

隧道絕緣層，所述隧道絕緣層位于所述存儲層與所述磁化固定層之間；

在所述存儲層和所述磁化固定層的層疊方向上施加流動的寫入電流時，改變所述存儲層的磁化方向，將信息寫入到所述存儲層，

所述單元陣列被分為多個單元塊，并且

任意一個特定的所述存儲器件的所述存儲層的熱穩定性的值是含有所述特定的存儲器件的所述單元塊所特有的。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，

通過將任意一個所述特定的存儲器件的所述存儲層的飽和磁化強度調節成含有所述特定的存儲器件的所述單元塊所特有的水平，任意一個所述特定的存儲器件的所述存儲層的熱穩定性的值被設定成含有所述特定的存儲器件的所述單元塊所特有的。

3.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，

通過將任意一個所述特定的存儲器件的所述存儲層的磁各向異性常數調節成含有所述特定的存儲器件的所述單元塊所特有的值，任意一個所述特定的存儲器件的所述存儲層的熱穩定性的值被設定成含有所述特定的存儲器件的所述單元塊所特有的。

4.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，

至少一個所述單元塊設置有錯誤校正功能。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的存儲裝置，所述存儲裝置具有這樣的功能：

將存儲在任意一個特定的所述單元塊中的信息的一部分傳輸給另一個所述單元塊，以及將存儲在所述特定的單元塊中的全部信息傳輸給所述另一單元塊。