[發明專利]電介質陶瓷、電介質陶瓷的生產方法和電子部件

無效

• 申請號: 201110185021.1
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102367211A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 櫻井俊雄;嵐友宏;小更恒;中野貴弘;中村知子;宮內泰治
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: C04B35/16
• 分類號: C04B35/16;C04B35/622;H01G4/12
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種電介質陶瓷，其包括：

含有Mg₂SiO₄的主組分；和

含有氧化鋅和玻璃組分的添加劑，

其中在X射線衍射中，峰強度比I_B/I_A為10％以下，其中I_A為對于作為主相的Mg₂SiO₄的2θ在36.0°至37.0°之間的X射線衍射峰強度，和I_B為對于保持未反應的氧化鋅的2θ在31.0°至32.0°之間和在33.0°至34.0°之間的X射線衍射峰強度，和

所述電介質陶瓷具有96％以上的相對密度。

2.根據權利要求1所述的電介質陶瓷，其中所述玻璃組分包括至少一種含Li₂O玻璃。

3.根據權利要求1所述的電介質陶瓷，其中所述氧化鋅的含量為10質量份至16質量份。

4.一種電子部件，其包括由根據權利要求1所述的電介質陶瓷形成的電介質層。

5.一種電介質陶瓷，其包括：

含有Mg₂SiO₄的主組分；和

含有氧化鋅、玻璃組分，以及氧化鋁和氧化鈦中至少之一的添加劑。

6.根據權利要求5所述的電介質陶瓷，其中所述玻璃組分包括至少一種含Li₂O玻璃。

7.根據權利要求5所述的電介質陶瓷，其中所述氧化鋅的含量為10質量份至16質量份。

8.一種電子部件，其包括由根據權利要求5所述的電介質陶瓷形成的電介質層。

9.一種電介質陶瓷的生產方法，所述電介質陶瓷包括含有Mg₂SiO₄的主組分以及含有氧化鋅和玻璃組分的添加劑，所述方法包括以下步驟：

電介質陶瓷組合物生產工藝，其包括將氧化鎂的原料粉末和二氧化硅的原料粉末混合，熱處理所述混合物以生產Mg₂SiO₄晶體粉末，將所述氧化鋅和所述玻璃組分作為添加劑原料粉末添加至Mg₂SiO₄晶體粉末，由此獲得電介質陶瓷組合物；和

燒制工藝，其包括在800℃至1000℃的溫度下在氧氣氣氛中燒制所述電介質陶瓷組合物，由此獲得燒結體，

其中在X射線衍射中，峰強度比I_B/I_A為10％以下，其中I_A為對于作為所述燒結體主相的Mg₂SiO₄的2θ在36.0°至37.0°之間的X射線衍射峰強度，和I_B為對于保持未反應的氧化鋅的2θ在31.0°至32.0°之間和在33.0°至34.0°之間的X射線衍射峰強度，和

所述電介質陶瓷具有96％以上的相對密度。

10.根據權利要求9所述的電介質陶瓷的生產方法，其中所述玻璃組分包含至少一種含Li₂O玻璃。

11.根據權利要求9所述的電介質陶瓷的生產方法，其中所述氧化鋅的含量為10質量份至16質量份。

12.一種電介質陶瓷的生產方法，所述電介質陶瓷包括含有Mg₂SiO₄的主組分和含有氧化鋅、玻璃組分、以及氧化鋁和氧化鈦中至少之一的添加劑，所述方法包括以下步驟：

電介質陶瓷組合物生產工藝，其包括將氧化鎂的原料粉末和二氧化硅的原料粉末混合，熱處理所述混合物以生產Mg₂SiO₄晶體粉末，將所述氧化鋁和所述氧化鈦的至少之一、所述氧化鋅和所述玻璃組分作為添加劑原料粉末添加至所述Mg₂SiO₄晶體粉末，由此獲得電介質陶瓷組合物；和

燒制工藝，其包括在800℃至1000℃的溫度下在氧氣氣氛中燒制所述電介質陶瓷組合物，從而獲得燒結體。

13.根據權利要求12所述的電介質陶瓷的生產方法，其中所述玻璃組分包括至少一種含Li₂O玻璃。

14.根據權利要求12所述的電介質陶瓷的生產方法，其中所述氧化鋅的含量為10質量份至16質量份。