[發明專利]發光元件和顯示器件

有效

• 申請號: 201110184889.X
• 申請日: 2005-05-20
• 公開（公告）號: CN102244202A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 池田壽雄;大原宏樹;細羽誠;坂田淳一郎;伊藤俊一
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 葉曉勇;王忠忠

1.一種具有包括發光元件的像素區的發光器件，所述發光元件包括：

在襯底上的像素電極；

在所述像素電極上的電致發光層，所述電致發光層包括有機化合物；

在所述電致發光層上的電極；

在所述電極上的第一層；以及

在所述第一層上的第二層，所述第二層包括無機材料，

其中，所述第一層具有包括第三層與第四層的疊層結構，

其中，所述第一層、所述第三層與所述第四層中的每一層包括選自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。

2.一種具有包括發光元件的像素區的發光器件，所述發光元件包括：

在襯底上的像素電極；

在所述像素電極上的電致發光層，所述電致發光層包括有機化合物；

在所述電致發光層上的電極；以及

在所述電極上的第一層，所述第一層包括所述有機化合物。

3.一種具有包括發光元件的像素區的發光器件，所述發光元件包括：

在襯底上的像素電極；

在所述像素電極上的電致發光層，所述電致發光層包括第一有機化合物；

在所述電致發光層上的電極；以及

在所述電極上的第一層，所述第一層包括第二有機化合物，

其中，所述第二有機化合物選自4，4′-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯苯、浴銅靈、4，4′，4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺與三(8-喹啉)鋁。

4.如權利要求1-3中任一項所述的發光器件，其中所述像素電極包括具有反射率的金屬材料。

5.如權利要求1所述的發光器件，其中所述無機材料是選自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。

6.如權利要求2或3所述的發光器件，還包括在所述像素電極與所述第一層之間的第二層，

其中，所述第二層包括選自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。

7.如權利要求2或3所述的發光器件，還包括在所述像素電極與所述第一層之間的第二層，

其中，所述第二層具有包括第三層與第四層的疊層結構，

其中，所述第三層與所述第四層中的每一層包括選自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。

8.如權利要求2或3所述的發光器件，還包括在所述像素電極與所述第一層之間的第二層，

其中，所述第二層具有包括第三層、第四層與第五層的疊層結構，

其中，所述第三層、所述第四層與所述第五層中的每一層包括選自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。

9.如權利要求2所述的發光器件，其中所述有機化合物是具有空穴傳輸屬性或者空穴注入屬性的芳香胺化合物。

10.如權利要求1所述的發光器件，

其中，所述第一層的折射率小于所述電極的折射率，并且

其中，所述第二層的折射率小于所述第一層的折射率。

11.如權利要求2或3所述的發光器件，其中所述第一層的折射率小于所述電極的折射率。

12.如權利要求6所述的發光器件，

其中，所述第二層的折射率小于所述電極的折射率，并且

其中，所述第一層的折射率小于所述第二層的折射率。

13.如權利要求7所述的發光器件，

其中，所述第二層的折射率小于所述電極的折射率，并且

其中，所述第一層的折射率小于所述第二層的折射率。

14.如權利要求8所述的發光器件，

其中，所述第二層的折射率小于所述電極的折射率，并且

其中，所述第一層的折射率小于所述第二層的折射率。