[發明專利]成像裝置、顯示成像裝置以及電子設備

無效

• 申請號: 201110184805.2
• 申請日: 2011-07-01
• 公開（公告）號: CN102315235A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 池田雅延;伊藤良一;石原圭一郎;佐佐木義一
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/32;G02F1/1368
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種成像裝置，包括：

多個光檢測元件，設置在基板上，每個均具有用于溝道區的第一半導體層；以及

多個驅動元件，設置在所述基板上，每個均具有用于溝道區的第二半導體層，其中

所述第一半導體層和所述第二半導體層均為結晶化半導體層，

所述第一半導體層和所述第二半導體層的厚度和雜質濃度大致相等，并且

所述第一半導體層和所述第二半導體層均具有不高于2.0×10¹⁷cm^-3的平均陷阱能級密度，所述平均陷阱能級密度是在本征費米能級Ei±0.2eV范圍內通過場效應法獲得的陷阱能級密度的平均值。

2.根據權利要求1所述的成像裝置，其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層具有不高于1.2×10¹⁷cm^-3的平均陷阱能級密度。

3.根據權利要求1所述的成像裝置，其中，所述第一半導體層中的溝道區具有不小于4.0μm的溝道長度。

4.根據權利要求3所述的成像裝置，其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層具有不低于5.6×10¹⁶cm^-3的平均陷阱能級密度。

5.根據權利要求1所述的成像裝置，其中，所述光檢測元件對于紅外光敏感。

6.根據權利要求1所述的成像裝置，其中，所述光檢測元件由PIN型光電二極管構成，并且所述驅動元件由MOS型薄膜晶體管構成。

7.根據權利要求6所述的成像裝置，其中，所述薄膜晶體管用于驅動所述光電二極管。

8.一種顯示成像裝置，包括：

多個顯示元件，設置在基板上；

多個光檢測元件，設置在所述基板上，每個均具有用于溝道區的第一半導體層；以及

多個驅動元件，設置在所述基板上，每個均具有用于溝道區的第二半導體層，其中

所述第一半導體層和所述第二半導體層均為結晶化半導體層，

所述第一半導體層和所述第二半導體層的厚度和雜質濃度大致相等，并且

所述第一半導體層和所述第二半導體層均具有不高于2.0×10¹⁷cm^-3的平均陷阱能級密度，所述平均陷阱能級密度是在本征費米能級Ei±0.2eV范圍內通過場效應法獲得的陷阱能級密度的平均值。

9.一種電子設備，設置有：

顯示成像裝置，所述顯示成像裝置包括：

多個顯示元件，設置在基板上；

多個光檢測元件，設置在所述基板上，每個均具有用于溝道區的第一半導體層；以及

多個驅動元件，設置在所述基板上，每個均具有用于溝道區的第二半導體層，其中

所述第一半導體層和所述第二半導體層均為結晶化半導體層，

所述第一半導體層和所述第二半導體層的厚度和雜質濃度大致相等，并且

所述第一半導體層和所述第二半導體層均具有不高于2.0×10¹⁷cm^-3的平均陷阱能級密度，所述平均陷阱能級密度是在本征費米能級Ei±0.2eV范圍內通過場效應法獲得的陷阱能級密度的平均值。