[發明專利]薄膜晶體管元件及其制作方法

有效

• 申請號: 201110184767.0
• 申請日: 2011-06-28
• 公開（公告）號: CN102222700A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 徐偉倫;高嘉駿;翁守朋
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種薄膜晶體管元件，設置于一基板上，該薄膜晶體管元件包括：

一第一導電類型晶體管，包括一第一圖案化摻雜層、一第一柵極、一第一源極、一第一漏極以及一第一半導體圖案，其中該第一源極以及該第一漏極是與該第一圖案化摻雜層電性連結；以及

一第二導電類型晶體管，包括一第二圖案化摻雜層、一第二柵極、一第二源極、一第二漏極以及一第二半導體圖案，其中該第二源極以及該第二漏極是與該第二圖案化摻雜層電性連結；

其中該第一半導體圖案以及該第二半導體圖案構成一圖案化半導體層，該第一圖案化摻雜層是設置于該第一半導體圖案之下，且該第二圖案化摻雜層是設置于該第二半導體圖案之上。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，該第一圖案化摻雜層包括至少一N型摻雜物，且該第二圖案化摻雜層包括至少一P型摻雜物。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，該圖案化半導體層包括一多晶硅層。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，進一步包括一柵極介電層，設置于該圖案化半導體層、該第一圖案化摻雜層以及該第二圖案化摻雜層之上，其中該第一柵極以及該第二柵極是設置于該柵極介電層之上。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，進一步包括一層間介電層設置于該柵極介電層、該第一柵極以及該第二柵極之上，其中該第二源極以及該第二漏極是穿過該層間介電層以及該柵極介電層而與該第二圖案化摻雜層電性連結，且該第一源極以及該第一漏極是穿過該層間介電層、該柵極介電層以及該第一半導體圖案而與該第一圖案化摻雜層電性連結。

6.如權利要求4所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，進一步包括一層間介電層設置于該柵極介電層、該第一柵極以及該第二柵極之上，其中該第二源極以及該第二漏極是穿過該層間介電層以及該柵極介電層而與該第二圖案化摻雜層電性連結，且該第一源極及該第一漏極是至少部分設置于該基板與該第一圖案化摻雜層之間。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，該第一導電類型晶體管進一步包括一第一柵極介電層，設置于該基板與該第一圖案化摻雜層之間，且該第一柵極是設置于該第一柵極介電層與該基板之間；以及該第二導電類型晶體管更包括一第二柵極介電層，設置于該圖案化半導體層、該第一圖案化摻雜層以及該第二圖案化摻雜層之上，且該第二柵極是設置于該第二柵極介電層之上。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，該第一漏極與該第二柵極電性連結。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管元件，其特征在于該第一漏極是與該第二源極電性連接，該第一柵極是與該第二柵極電性連結。

10.一種薄膜晶體管元件的制作方法，包括：

提供一基板，該基板具有一第一導電類型區以及一第二導電類型區；

于該基板的該第一導電類型區形成一第一圖案化摻雜層；

于該基板的該第一導電類型區與該第二導電類型區形成一半導體層，其中該第一導電類型區的該半導體層是覆蓋該第一圖案化摻雜層；

于該第二導電類型區的該半導體層上形成一第二圖案化摻雜層；

圖案化該半導體層，使該第一導電類型區的該半導體層與該第二導電類型區的該半導體層互相分離；以及

對該半導體層、該第一圖案化摻雜層與該第二圖案化摻雜層進行至少一次激光處理工藝。

11.如權利要求10所述的薄膜晶體管元件的制作方法，其特征在于，該激光處理工藝包括兩次激光處理工藝，分別于形成該第二圖案化摻雜層之前及之后進行。

12.如權利要求10所述的薄膜晶體管元件的制作方法，其特征在于，該激光處理工藝是于形成該第二圖案化摻雜層之后進行。

13.如權利要求10所述的薄膜晶體管元件的制作方法，其特征在于，該第一圖案化摻雜層與該第二圖案化摻雜層是分別利用一化學氣相沉積工藝所形成。

14.如權利要求10所述的薄膜晶體管元件的制作方法，其特征在于，該第一圖案化摻雜層包括至少一N型摻雜物，且該第二圖案化摻雜層包括至少一P型摻雜物。

15.如權利要求10所述的薄膜晶體管元件的制作方法，其特征在于，該激光處理工藝將該半導體層由一非晶硅層改質為一多晶硅層。