[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及有機(jī)電致發(fā)光元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110184742.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-06-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102244090A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張志榜;謝信弘 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/00 | 分類號(hào): | H01L29/00;H01L29/78;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;鮑俊萍 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) 以及 有機(jī) 電致發(fā)光 元件 | ||
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),設(shè)置于一基板上,其特征在于,包括:
一柵極,配置于該基板上;
一柵絕緣層,配置于該基板上,并且覆蓋該柵極;
一通道層,位于該柵絕緣層上,且位于該柵極上方,該通道層沿一通道方向上,具有一通道長(zhǎng)度L,該通道層具有一第一側(cè)邊,以及一第二側(cè)邊相對(duì)于該第一側(cè)邊;
一源極以及一漏極,位于該通道層的相對(duì)兩側(cè),且分別電性連接該通道層的該第一側(cè)邊與該第二側(cè)邊;
一介電層,覆蓋該源極、該漏極以及該通道層;以及
一導(dǎo)電遮光圖案層,配置于該介電層上,該導(dǎo)電遮光圖案層跟部份該源極與該通道層在垂直投影上重迭,其中該導(dǎo)電遮光圖案層跟該通道層具有一重迭長(zhǎng)度d1,且0.3≤d1/L≤0.85。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該通道層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該導(dǎo)電遮光圖案層沿該通道方向具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊,該第四側(cè)邊跟該通道層在垂直投影上重迭,其中該重迭長(zhǎng)度d1等于該第四側(cè)邊跟該通道層的第一側(cè)邊在該通道方向上的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該通道層覆蓋部分的該源極以及部分的該漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該源極以及該漏極分別覆蓋部分的該通道層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),更包括一蝕刻阻擋層,配置于該通道層上,且該源極以及該漏極更分別覆蓋部分的該蝕刻阻擋層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,該漏極沿該通道方向具有一第五側(cè)邊,其中該第五側(cè)邊跟該通道層重迭,且該第五側(cè)邊與該第二側(cè)邊在該通道方向上相距t1,且0<t1/L<0.15。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光元件,設(shè)置于一基板上,其特征在于,包括:
一柵極,配置于該基板上;
一柵絕緣層,配置于該基板上,并且覆蓋該柵極;
一通道層,位于該柵絕緣層上,且位于該柵極上方,該通道層沿一通道方向上,具有一通道長(zhǎng)度L,該通道層具有一第一側(cè)邊,以及一第二側(cè)邊相對(duì)于該第一側(cè)邊;
一源極以及一漏極,位于該通道層的相對(duì)兩側(cè),且分別電性連接該通道層的該第一側(cè)邊與該第二側(cè)邊;
一介電層,覆蓋該源極、該漏極以及該通道層;
一導(dǎo)電遮光圖案層,配置于該介電層上,該導(dǎo)電遮光圖案層跟部份該源極與該通道層在垂直投影上重迭,其中該導(dǎo)電遮光圖案層跟該通道層具有一重迭長(zhǎng)度d1,且0.3≤d1/L≤0.85;
一有機(jī)發(fā)光層,配置于該導(dǎo)電遮光圖案層上;以及
一上電極,配置于該有機(jī)發(fā)光層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,該通道層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,該氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,該導(dǎo)電遮光圖案層沿該通道方向具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊,該第四側(cè)邊跟該通道層重迭,其中該重迭長(zhǎng)度等于該第四側(cè)邊跟該通道層的第一側(cè)邊在該通道方向上的距離。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,該通道層覆蓋部分的該源極以及部分的該漏極。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,該源極以及該漏極分別覆蓋部分的該通道層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,更包括一蝕刻阻擋層,配置于該通道層上,且該源極以及該漏極更分別覆蓋部分的該蝕刻阻擋層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,該漏極沿該通道方向具有一第五側(cè)邊,其中該第五側(cè)邊跟該通道層重迭,且該第五側(cè)邊與該第二側(cè)邊在該通道方向上相距t1,且0<t1/L<0.15。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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