[發(fā)明專利]存儲(chǔ)元件和存儲(chǔ)裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110184419.3 | 申請(qǐng)日： | 2011-06-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102376354A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 保田周一郎;清宏彰;河內(nèi)山彰;紫牟田雅之;山田直美 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 索尼公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C13/00 | 分類號(hào)： | G11C13/00;H01L45/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人： | 陳桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲(chǔ) 元件 裝置 | ||
1.一種存儲(chǔ)元件，其包括依次設(shè)置的第一電極、存儲(chǔ)層和第二電極，其中，所述存儲(chǔ)層包括：
電阻變化層，所述電阻變化層設(shè)置在所述第一電極側(cè)；以及
離子源層，所述離子源層設(shè)置在所述第二電極側(cè)，且所述離子源層的電阻值高于所述電阻變化層的電阻值，
并且，所述電阻變化層的電阻值響應(yīng)于由施加到所述第一電極和所述第二電極上的電壓引起的組分變化而變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述存儲(chǔ)層包括位于所述電阻變化層與所述第一電極之間的氧化物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述電阻變化層含有碲。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述離子源層含有金屬元素銅、鋁、鍺和鋅中的至少一種，并且含有氧、碲、硫和硒中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述離子源層含有金屬元素銅、鋁、鍺和鋅中的至少一種，還含有鋯、鈦和鎢中的至少一種，并且含有氧、碲、硫和硒中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述電阻變化層的電阻值的變化是因?yàn)橛墒┘拥剿龅谝浑姌O和所述第二電極上的電壓引起的在所述電阻變化層中形成了含有金屬元素的低電阻部而發(fā)生的。
7.一種存儲(chǔ)裝置，其包括：
多個(gè)存儲(chǔ)元件；以及
脈沖施加單元，所述脈沖施加單元選擇性地向所述多個(gè)存儲(chǔ)元件施加電壓脈沖或電流脈沖，
其中，各個(gè)所述存儲(chǔ)元件是根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)元件。
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