[發明專利]高性能底接觸有機薄膜晶體管在審
| 申請號： | 201110183353.6 | 申請日： | 2011-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN102856496A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發明（設計）人： | 李元元 | 申請（專利權）人： | 康佳集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/10 | 分類號： | H01L51/10;H01L51/05 |
| 代理公司： | 深圳市中知專利商標代理有限公司 44101 | 代理人： | 孫皓;林虹 |
| 地址： | 518053*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 性能 接觸 有機 薄膜晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種高性能底接觸有機薄膜晶體管，由襯底(1)、設在襯底上表面的柵介質層(2)、設在柵介質層(2)上的有機功能層(3)及設在有機功能層(3)內與柵介質層(2)相接觸的電極(4)組成，其特征在于：所述電極(4)與柵介質層(2)之間設有有機犧牲層(5)。
2.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于：所述有機犧牲層(5)是有機小分子半導體材料。
3.根據權利要求2所述的有機薄膜晶體管，其特征在于：所述有機小分子半導體材料為肽箐類半導體材料。
4.根據權利要求2所述的有機薄膜晶體管，其特征在于：所述有機犧牲層(5)的厚度是30nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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