[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110183230.2
• 申請(qǐng)日: 2011-07-01
• 公開（公告）號(hào): CN102856257A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何永根
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；

在所述襯底表面形成分別位于第一區(qū)域的柵極結(jié)構(gòu)及位于第二區(qū)域的柵極結(jié)構(gòu)；

形成第一側(cè)墻及第二側(cè)墻，所述第一側(cè)墻覆蓋第一區(qū)域的襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)及表面，所述第二側(cè)墻覆蓋第二區(qū)域的襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)及表面；

圖案化刻蝕所述第二側(cè)墻及襯底，在所述第二側(cè)墻兩側(cè)的襯底內(nèi)形成開口，并在所述開口內(nèi)形成外延層；

在形成所述外延層前，還包括對(duì)所述第一側(cè)墻進(jìn)行離子注入工藝或者離子摻雜工藝，以提高所述第一側(cè)墻的密度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻均至少包括位于襯底表面的氧化層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻還包括位于所述氧化層表面的氮化層。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，通過沉積工藝或氧化工藝形成所述氧化層。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述氧化層為氧化硅，所述氧化硅的前驅(qū)體為正硅酸乙酯。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，對(duì)所述第一側(cè)墻進(jìn)行離子注入工藝或者離子摻雜工藝的離子為氮離子。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述離子注入或離子摻雜的能量范圍為200ev～10kev，注入濃度或摻雜濃度范圍為1E14/cm²～5E16/cm²。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一側(cè)墻及第二側(cè)墻工藝包括：在所述襯底表面形成氧化層，對(duì)所述氧化層進(jìn)行離子注入工藝或者離子摻雜工藝；圖案化刻蝕所述氧化層，形成所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻，所述對(duì)第一側(cè)墻進(jìn)行離子注入工藝或者離子摻雜工藝為所述對(duì)氧化層進(jìn)行離子注入工藝或者離子摻雜工藝。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一側(cè)墻及第二側(cè)墻工藝包括：在所述襯底表面形成氧化層；在所述氧化層表面形成氮化層；對(duì)表面形成有氮化層的氧化層進(jìn)行離子注入工藝或者離子摻雜工藝；圖案化刻蝕所述氧化層和氮化層，形成所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻，所述對(duì)第一側(cè)墻進(jìn)行離子注入工藝或者離子摻雜工藝為所述對(duì)形成有氮化層的氧化層進(jìn)行離子注入工藝或者離子摻雜工藝。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，對(duì)所述第一側(cè)墻進(jìn)行離子注入或離子摻雜工藝后，還包括對(duì)所述第一側(cè)墻進(jìn)行退火工藝。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述退火工藝參數(shù)包括：退火氣體為氮?dú)饣蛘叩獨(dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w，退火氣體流量為20slm～50slm，退火溫度為800℃～1200℃，時(shí)間為500μS～120S，反應(yīng)腔室壓力為1Torr～800Torr。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，若所述退火氣體為氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w，則所述氧氣流量占混合氣體的比例不高于10％。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一區(qū)域?yàn)镹MOS區(qū)，所述第二區(qū)域?yàn)镻MOS區(qū)。