[發(fā)明專利]制備帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底的方法以及半導(dǎo)體襯底

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110183212.4
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102299093A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏星;仰庶;曹共柏;張峰;王曦
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新傲科技股份有限公司;中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/20;H01L29/06
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種制備帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底的方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供第一襯底與第二襯底；

在第一襯底表面外延形成器件層；

在第二襯底和/或器件層的表面形成絕緣層；

以絕緣層和器件層為中間層，將第一襯底和第二襯底鍵合在一起；

對鍵合后的襯底實(shí)施第一退火步驟；

去除第一襯底，形成由器件層、絕緣層和第二襯底構(gòu)成的帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底；

對此帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底實(shí)施第二退火步驟，所述第二退火步驟的退火溫度大于第一退火步驟的退火溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底的方法，其特征在于，在鍵合前進(jìn)一步包括對外延形成的器件層進(jìn)行拋光處理的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底的方法，其特征在于，所述第一退火步驟的溫度范圍是100-900℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底的方法，其特征在于，所述第二退火步驟的溫度范圍是900-1400℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底的方法，其特征在于，器件層的厚度大于絕緣埋層表面的頂層半導(dǎo)體層的目標(biāo)厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底的方法，其特征在于，去除第一襯底后，進(jìn)一步包括一減薄器件層至目標(biāo)厚度的步驟。

7.一種帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底，包括器件層、絕緣層和支撐襯底，其特征在于，所述器件層是通過外延工藝形成的。