[發(fā)明專利]激光輻照設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110182983.1 | 申請日: | 2011-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN102339738A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李源規(guī);陳圣鉉;吳在煥;張榮真;崔宰凡 | 申請(專利權(quán))人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 羅正云;宋志強(qiáng) |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 輻照 設(shè)備 | ||
1.一種激光輻照設(shè)備,沿掃描方向向包括多個像素區(qū)域的半導(dǎo)體層提供激光束,所述激光輻照設(shè)備包括:
至少一個激光掩膜,包括分別與所述多個像素區(qū)域的部分面對的多個狹縫組;以及
激光發(fā)生器,產(chǎn)生穿過所述至少一個激光掩膜的所述多個狹縫組的所述激光束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光輻照設(shè)備,其中所述半導(dǎo)體層的所述多個像素區(qū)域中的每一個被劃分成結(jié)晶區(qū)域和非結(jié)晶區(qū)域,所述結(jié)晶區(qū)域和所述非結(jié)晶區(qū)域沿所述掃描方向交替布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光輻照設(shè)備,其中所述結(jié)晶區(qū)域在各個像素區(qū)域中位于相同位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光輻照設(shè)備,其中所述多個狹縫組對應(yīng)于所述半導(dǎo)體層的所述結(jié)晶區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光輻照設(shè)備,其中所述多個狹縫組之間的間隙相等,并且與所述半導(dǎo)體層的所述非結(jié)晶區(qū)域的在所述掃描方向上的長度成比例。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光輻照設(shè)備,其中所述多個狹縫組中至少之一包括具有與所述掃描方向平行的長軸的多個狹縫。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光輻照設(shè)備,其中在所述半導(dǎo)體層的所述結(jié)晶區(qū)域中平行于所述掃描方向形成有結(jié)晶突起。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光輻照設(shè)備,其中所述多個狹縫組中至少之一包括:
與所述掃描方向垂直的方向上的多個第一狹縫;以及
與所述掃描方向垂直的方向上的多個第二狹縫,所述多個第一狹縫和所述多個第二狹縫在尺寸上相等,并且所述多個第一狹縫和所述多個第二狹縫沿所述掃描方向彼此相鄰,且彼此偏移狹縫寬度的1/2。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光輻照設(shè)備,其中所述多個第一狹縫和所述多個第二狹縫的側(cè)邊在兩端處逐漸變窄為傾斜的形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光輻照設(shè)備,其中所述多個狹縫組中至少之一包括具有與所述掃描方向垂直的長軸的多個狹縫。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的激光輻照設(shè)備,其中在所述半導(dǎo)體層的所述結(jié)晶區(qū)域中在與所述掃描方向交叉的方向上形成有結(jié)晶突起。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光輻照設(shè)備,其中所述激光發(fā)生器包括:
輸出第一激光束的第一激光發(fā)生器;和
輸出第二激光束的第二激光發(fā)生器。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的激光輻照設(shè)備,其中所述第一激光發(fā)生器和所述第二激光發(fā)生器以預(yù)定周期打開/關(guān)斷所述第一激光束和所述第二激光束的輸出。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的激光輻照設(shè)備,其中所述預(yù)定周期與所述第一激光束和所述第二激光束的掃描速度成反比,并且與所述像素區(qū)域在所述掃描方向上的長度成正比。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的激光輻照設(shè)備,其中所述預(yù)定周期的一個周期對應(yīng)于所述像素區(qū)域的由所述第一激光束和所述第二激光束沿所述掃描方向輻照的長度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的激光輻照設(shè)備,其中所述第一激光束和所述第二激光束中至少之一被輸出的時間對應(yīng)于所述半導(dǎo)體層中所述結(jié)晶區(qū)域之間沿所述掃描方向的長度,并且所述第一激光束和所述第二激光束中至少之一被關(guān)斷的時間對應(yīng)于所述半導(dǎo)體層中所述非結(jié)晶區(qū)域沿所述掃描方向的長度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的激光輻照設(shè)備,其中所述第一激光束和所述第二激光束以一時間間隙順序輸出。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的激光輻照設(shè)備,其中所述第一激光束和所述第二激光束具有相同的掃描方向。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的激光輻照設(shè)備,其中當(dāng)有多于一個激光掩膜時,所述第一激光束和所述第二激光束分別被劃分并被導(dǎo)向每個激光掩膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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