[發(fā)明專利]三維疊層集成電路裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110182911.7 | 申請日: | 2011-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN102610614A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳士弘;呂函庭;李鴻志;楊金成 | 申請(專利權(quán))人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/115 | 分類號: | H01L27/115;H01L23/528;H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 集成電路 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種方法,使用于一互連區(qū)域具有至少四個接觸層的一疊層的一三維疊層集成電路裝置,以產(chǎn)生多個互連接觸區(qū)域,該多個互連接觸區(qū)域與該多個接觸層的多個降落區(qū)域?qū)R且露出該多個接觸層的該多個降落區(qū)域,各該接觸層包括一導(dǎo)電層及一絕緣層,該方法包括:
移除設(shè)置于該互連區(qū)域上的任何一上層的至少一部分,以暴露出一第一接觸層并產(chǎn)生用于各該接觸層的多個接觸開口;
選擇一組N個刻蝕掩模,用以于該多個接觸層的該疊層處產(chǎn)生多個互連接觸區(qū)域?qū)?,N為至少等于2的整數(shù);
使用該多個N個刻蝕掩模以刻蝕該多個接觸開口至多達(dá)且包含2的N次方個該多個接觸層,該多個N個掩模使用步驟包括:
使用一第一掩模,以對于有效地一半的該多個接觸開口刻蝕一個該接觸層;
使用一第二掩模,以對于有效地一半的該多個接觸開口刻蝕兩個該多個接觸層;及
該移除、該選擇及該使用步驟是執(zhí)行以致于該多個接觸開口延伸至該多個2的N次方個接觸層;以及
通過形成多個導(dǎo)電體穿過該多個接觸開口以接觸于該多個接觸層的該多個降落區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中該移除步驟是使用一額外的掩模來執(zhí)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中:
該第一掩模使用步驟包括使用該第一掩模于每隔一個該接觸開口刻蝕一個該接觸層;以及
該第二掩模使用步驟包括使用該第二掩模于至少一組第一至第四該多個接觸開口中的該第三和該第四接觸開口刻蝕兩個該多個接觸層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中該多個N個掩模使用步驟更包括:
使用一第三掩模,以對于有效地一半的該多個接觸開口刻蝕四個該多個接觸層;以及
使用一第四掩模,以對于有效地一半的該多個接觸開口刻蝕八個該多個接觸層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中:
該第三掩模使用步驟包括使用該第三掩模于至少一組第一至第八該多個接觸開口中的該第五至該第八接觸開口刻蝕四個該多個接觸層;以及
該第四掩模使用步驟包括使用該第四掩模于至少一組第一至第十六該多個接觸開口中的該第九至該第十六接觸開口刻蝕八個該多個接觸層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中:
該第一掩模使用步驟是執(zhí)行用來刻蝕位于該多個第二、第四、第六、第八、第十、第十二、第十四、第十六開口的一個該接觸層;
該第二掩模使用步驟是執(zhí)行用來刻蝕位于該多個第三、第四、第七、第八、第十一、第十二、第十五、第十六開口的兩個該多個接觸層;
該第三掩模使用步驟是執(zhí)行用來刻蝕位于該多個第五至第八、第十三至第十六開口的四個該多個接觸層;以及
該第四掩模使用步驟是執(zhí)行用來刻蝕位于該多個第九至第十六開口的八個該多個接觸層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中:
該第一掩模使用步驟是執(zhí)行用來刻蝕位于該多個第二、第四、第六、第八、第十、第十二、第十四、第十六開口的八個該多個接觸層;
該第二掩模使用步驟是執(zhí)行用來刻蝕位于該多個第五、第六、第七、第八、第十三、第十四、第十五、第十六開口的兩個該多個接觸層;
該第三掩模使用步驟是執(zhí)行用來刻蝕位于該多個第三、第四、第七、第八、第十一、第十二、第十五、第十六開口的四個該多個接觸層;以及
該第四掩模使用步驟是執(zhí)行用來刻蝕位于該多個第九至第十六開口的一個該接觸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,更包括:
產(chǎn)生一接地接觸開口穿過該多個接觸層;以及
形成一接地導(dǎo)電體穿過該接地接觸開口,以與該多個接觸層的多個該多個導(dǎo)電層電性接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中該接地接觸開口具有一接地接觸開口側(cè)壁,且更包括:
在該接地導(dǎo)電體形成步驟之前,移除于該接地接觸開口側(cè)壁的絕緣層的部分,所以該接地導(dǎo)電體增強該接地導(dǎo)電體與該多個接觸層的多個該多個導(dǎo)電層之間的電性接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中該使用步驟是以不同于刻蝕的該多個接觸層的編號順序來執(zhí)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中該多個接觸開口具有多個側(cè)壁,且更包括形成一介電層于該多個側(cè)壁上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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