[發(fā)明專利]條形結(jié)構(gòu)的刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110182359.1
• 申請(qǐng)日: 2011-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN102856190A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周俊卿;孟曉瑩;張海洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種條形結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板表面形成待刻蝕薄膜；

在所述待刻蝕薄膜表面形成掩膜層，在所述掩膜層內(nèi)形成貫穿所述掩膜層的通孔，所述通孔與待形成的條形結(jié)構(gòu)較短邊的位置對(duì)應(yīng)；

在所述掩膜層表面形成條形圖案，以所述條形圖案為掩膜刻蝕所述掩膜層，直至暴露出待刻蝕薄膜，形成掩膜層圖案；

以所述掩膜層圖案為掩膜，刻蝕待刻蝕薄膜直至暴露出所述基板。

2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述掩膜層為氧化硅層、氮化硅層、氮氧硅層、金屬層其中的一層或由其中幾層形成的疊層結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述掩膜層為鎳金屬層。

4.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，形成通孔的方法為干法刻蝕工藝、納米壓印工藝其中一種或兩種的組合。

5.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，每一條條形圖案覆蓋待形成的位于同一行的若干條條形結(jié)構(gòu)在待刻蝕薄膜中對(duì)應(yīng)的位置，且每一條條形圖案部分覆蓋所述通孔。

6.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述通孔的形狀為橢圓形、圓形、矩形其中的一種。

7.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，與條形結(jié)構(gòu)較短邊平行方向的所述通孔的直徑大于條形圖案的寬度。

8.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，還包括，形成通孔后，在通孔側(cè)壁表面形成氮化硅側(cè)墻。

9.如權(quán)利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，每一條條形圖案覆蓋待形成的位于同一行的若干條條形結(jié)構(gòu)在待刻蝕薄膜中對(duì)應(yīng)的位置，且每一條條形圖案部分覆蓋所述氮化硅側(cè)墻和通孔。

10.如權(quán)利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，與條形結(jié)構(gòu)較短邊平行方向的所述氮化硅側(cè)墻的內(nèi)直徑大于條形圖案的寬度。