[發明專利]太陽能晶片洗劑以及清洗太陽能晶片的方法

無效

• 申請號: 201110181420.0
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102851125A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 張順吉;盧厚德
• 申請（專利權）人: 達興材料股份有限公司
• 主分類號: C11D1/06
• 分類號: C11D1/06;C11D10/02;H01L31/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 秦劍

1.一種太陽能晶片洗劑，用以清洗太陽能晶片，其特征在于：所述太陽能晶片洗劑包括：

醇醚羧酸鹽類；以及

溶劑，用于稀釋所述醇醚羧酸鹽類。

2.如權利要求1所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：所述醇醚羧酸鹽類包括結構式：

R-(OCH₂CH₂)_nOCH₂COONa(H)

其中，R代表取代基，且n為正整數。

3.如權利要求2所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：R代表碳數由1～18的烷基、碳數由1～18的含雙鍵的烯基、碳數由1～18的炔基、內含苯環的有機鏈段取代基、有支鏈的有機鏈段取代基、或是有共聚鏈段的有機鏈段取代基；n是1～16的正整數。

4.如權利要求1所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：相對于太陽能晶片洗劑，所述醇醚羧酸鹽類的添加量是于0.01wt％到30wt％之間。

5.如權利要求1所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：所述醇醚羧酸鹽類的重均分子量為100～9000。

6.如權利要求1所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：所述醇醚羧酸鹽類包括醇醚羧酸鈉鹽、醇醚羧酸鉀鹽、醇醚羧酸三級胺鹽或醇醚羧酸四級胺鹽。

7.如權利要求1所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：所述太陽能晶片洗劑呈現堿性。

8.如權利要求7所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：所述太陽能晶片洗劑的pH值介于9～13之間。

9.如權利要求1所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：所述太陽能晶片洗劑還包括堿類。

10.如權利要求9所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：所述堿類包括有機堿類或無機堿類。

11.如權利要求1所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：相對于所述太陽能晶片洗劑，所述溶劑的配合量是在60wt％到99.9wt％之間。

12.如權利要求1所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：所述溶劑包括極性或弱極性的溶液。

13.如權利要求12所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：所述溶劑包括水或醇類。

14.如權利要求1所述的太陽能晶片洗劑，其特征在于：所述太陽能晶片是單晶硅晶片或多晶硅晶片。

15.一種清洗太陽能晶片的方法，所述太陽能晶片經過線鋸制程，其特征在于該方法包括：

使用太陽能晶片洗劑清洗所述太陽能晶片，所述太陽能晶片洗劑包括：

醇醚羧酸鹽類；以及

溶劑，用于稀釋所述醇醚羧酸鹽類。

16.如權利要求15所述的方法，其特征在于：所述醇醚羧酸鹽類包括結構式：

R-(OCH₂CH₂)_nOCH₂COONa(H)

其中，R代表取代基，且n為正整數。

17.如權利要求16所述的方法，其特征在于：R代表碳數由1～18的烷基、碳數由1～18的含雙鍵的烯基、碳數由1～18的炔基、內含苯環的有機鏈段取代基、有支鏈的有機鏈段取代基、或是有共聚鏈段的有機鏈段取代基；n是1～16的正整數。

18.如權利要求15所述的方法，其特征在于：相對于所述太陽能晶片洗劑，所述醇醚羧酸鹽類的添加量是于0.01wt％到30wt％之間。

19.如權利要求15所述的方法，其特征在于：所述醇醚羧酸鹽類的重均分子量為100～9000。

20.如權利要求15所述的方法，其特征在于：所述醇醚羧酸鹽類包括醇醚羧酸鈉鹽、醇醚羧酸鉀鹽、醇醚羧酸三級胺鹽或醇醚羧酸四級胺鹽。

21.如權利要求15所述的方法，其特征在于：所述太陽能晶片洗劑呈現堿性。

22.如權利要求21所述的方法，其特征在于：所述太陽能晶片洗劑的pH值介于9～13之間。

23.如權利要求15所述的方法，其特征在于：所述太陽能晶片洗劑還包括堿類。