[發明專利]表面有序孔陣列化的氧化鋅納米片薄膜及其制備方法無效
| 申請號： | 201110180304.7 | 申請日： | 2011-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN102851736A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發明（設計）人： | 李越;段國韜;劉廣強;戴正飛;蔡偉平 | 申請（專利權）人： | 中國科學院合肥物質科學研究院 |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;C30B29/64;C30B7/14;B82Y40/00;B82Y30/00 |
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| 地址： | 230031*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 有序 陣列 氧化鋅 納米 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種表面有序孔陣列化的氧化鋅納米片薄膜，由基底上覆有其上的有序孔陣列化的薄膜組成，其特征在于：
所述薄膜由站立的氧化鋅納米片相互連接構成；
所述氧化鋅納米片的片長為2～6μm、片高為1～6μm、片厚為300～1000nm，片的頂部或上側面為陣列化的有序孔；
所述有序孔的孔直徑為100nm～5μm。
2.根據權利要求1所述的表面有序孔陣列化的氧化鋅納米片薄膜，其特征是陣列化的有序孔為六方排列。
3.一種權利要求1所述表面有序孔陣列化的氧化鋅納米片薄膜的制備方法，采用熱分解法，其特征在于完成步驟如下：
步驟1，先將由球直徑為100nm～5μm的聚苯乙烯膠體球組成的單層膠體晶體模板置于基底上，再將濃度為0.6～0.8mol/L的硝酸鋅水溶液滴加于附有單層膠體晶體模板的基底上，得到其上覆有硝酸鋅水溶液和單層膠體晶體模板的基底；
步驟2，先將其上覆有硝酸鋅水溶液和單層膠體晶體模板的基底于室溫下干燥，再將其置于80～120℃下加熱0.8～1.2h后，以0.9～1.1℃/min的升溫速率將溫度升至380～420℃，并在此溫度下加熱至少3h，制得表面有序孔陣列化的氧化鋅納米片薄膜。
4.根據權利要求3所述的表面有序孔陣列化的氧化鋅納米片薄膜的制備方法，其特征是基底為導電體基底，或半導體基底，或絕緣體基底。
5.根據權利要求3所述的表面有序孔陣列化的氧化鋅納米片薄膜的制備方法，其特征是由80～120℃升溫至380～420℃的升溫速率為1℃/min。
6.根據權利要求3所述的表面有序孔陣列化的氧化鋅納米片薄膜的制備方法，其特征是于380～420℃下加熱的時間為3～5h。
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