[發明專利]一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器

無效

• 申請號: 201110180109.4
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102222771A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 唐利斌;姬榮斌;宋立媛;陳雪梅;馬鈺;王憶鋒
• 申請（專利權）人: 昆明物理研究所
• 主分類號: H01L51/46
• 分類號: H01L51/46;H01L51/44;H01L51/42
• 代理公司: 昆明祥和知識產權代理有限公司 53114
• 代理人: 和琳

1.一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，包括基板（1）、負極電極層（2）、正極電極層（8）和紫外半導體材料層，其特征在于該探測器的紫外半導體是由有機紫外半導體與無機紫外半導體雜化形成的，以ZnO納米棒陣列（4）為n型無機半導體，以寬帶隙有機紫外半導體（6）為p型有機半導體形成pn結。

2.如權利要求1所述的一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，其特征在于所述的寬帶隙有機紫外半導體材料為芴、蒽、六氯代苯、聚芴或PBD。

3.如權利要求1所述的一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，其特征在于所述的ZnO納米棒陣列（4）生長前需生長一層厚度為10～100nm的ZnO籽晶層（3）。

4.如權利要求1所述的一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，其特征在于所述的n型無機半導體是垂直于基板（1）的ZnO納米棒陣列（4），其長度為500～1500nm，直徑為60～85nm。

5.如權利要求1所述的一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，其特征在于所述的ZnO納米棒陣列（4）中填充電絕緣的聚合物PMMA（5），其厚度為470～1470nm，ZnO納米棒露出PMMA（5）的填充物30～50nm。

6.如權利要求1所述的一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，其特征在于所述的p型寬帶隙有機紫外半導體（6）是在ZnO納米棒陣列（4）頂部熱蒸發或旋涂形成的，其厚度為80～150nm。

7.如權利要求1所述的一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，其特征在于所述的p型寬帶隙有機紫外半導體（6）上沉積有5～30nm厚度的氧化鉬薄膜（7）。

8.如權利要求1所述的一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，其特征在于所述的正極電極層（8）是在氧化鉬薄膜（7）上熱蒸發或電子束沉積半透明高功函金屬Au或Pt薄膜形成的。

9.如權利要求1所述的一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，其特征在于所述的探測器負極電極層（2）為ITO薄膜，厚度為100～300nm。