[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110179310.0
• 申請(qǐng)日: 2011-06-29
• 公開（公告）號(hào): CN102856465A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪孟賢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/64;H01L33/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、形成于基板上的電極、固定于基板上并與電極電性連接的發(fā)光二極管芯片及覆蓋發(fā)光二極管芯片于基板上的封裝層，其特征在于：所述封裝層內(nèi)分布有散熱顆粒，所述散熱顆粒包括碳納米顆粒和包覆該碳納米顆粒于內(nèi)的類鉆石膜。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述散熱顆粒的外徑為15nm至30nm。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述類鉆石膜和封裝層均由透光的材料制成，類鉆石膜的折射率大于封裝層的折射率。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述類鉆石膜的折射率為2.0至2.4，該封裝層的折射率為1.2至1.6。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述類鉆石膜是由碳?xì)浠衔锾砑犹砑游镄纬桑鎏砑游镞x自鈦、鉻、鋁、鎢、硅及氧化硅中的一種或多種。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述發(fā)光二極管芯片與基板之間還形成有一粘合層，該粘合層內(nèi)分布有碳納米顆粒。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述發(fā)光二極管芯片的外部附著一層熒光層。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板上還形成一環(huán)繞發(fā)光二極管芯片于內(nèi)的反射杯，所述封裝層填充于反射杯的內(nèi)部，從而覆蓋發(fā)光二極管芯片于該反射杯的內(nèi)部。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述封裝層的外表面上形成有一熒光層。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電極至少為兩個(gè)，該至少兩電極間隔設(shè)置，所述發(fā)光二極管芯片與該至少兩電極打線連接于基板上。