[發(fā)明專利]減少表面電場的結構及橫向擴散金氧半導體元件

有效

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• 申請日: 2011-06-29
• 公開（公告）號: CN102769037A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設計）人: 李宗曄;吳沛勛;黃湘文
• 申請（專利權）人: 漢磊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/41
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種橫向擴散金氧半導體元件，包括：

具有一第一導電型的一基底；

具有一第二導電型的一外延層，位于該基底上；

具有該第一導電型的一井區(qū)，位于該外延層中；

具有該第二導電型的一深井區(qū)，位于該外延層中；

具有該第二導電型的一源極區(qū)，位于該井區(qū)中；

具有該第二導電型的一漏極區(qū)，位于該深井區(qū)中；

一隔離結構，位于該深井區(qū)上；

一柵極，位于該漏極區(qū)以及該源極區(qū)之間的該外延層上并延伸至部分該隔離結構上；

至少一溝渠絕緣結構，位于該隔離結構下方的該深井區(qū)中；以及

具有該第一導電型的至少一摻雜區(qū)，位于該深井區(qū)中且環(huán)繞該溝渠絕緣結構的側壁及底面。

2.根據權利要求1所述的橫向擴散金氧半導體元件，其中還包括具有該第二導電型的一埋層，位于該深井區(qū)下方的該基底中。

3.根據權利要求2所述的橫向擴散金氧半導體元件，其中該摻雜區(qū)與該隔離結構及該埋層實體連接。

4.根據權利要求2所述的橫向擴散金氧半導體元件，其中該摻雜區(qū)與該隔離結構實體連接，但未與該埋層實體連接。

5.根據權利要求1所述的橫向擴散金氧半導體元件，其中該摻雜區(qū)與該隔離結構及該基底實體連接。

6.根據權利要求1所述的橫向擴散金氧半導體元件，其中該摻雜區(qū)與該隔離結構實體連接，但未與該基底實體連接。

7.根據權利要求1所述的橫向擴散金氧半導體元件，其中該溝渠絕緣結構的材料包括氧化硅。

8.根據權利要求1所述的橫向擴散金氧半導體元件，其中該隔離結構包括場氧化物結構或淺溝渠隔離結構。

9.根據權利要求1所述的橫向擴散金氧半導體元件，其中還包括具有該第一導電型的一基體區(qū)，位于該井區(qū)中。

10.根據權利要求1所述的橫向擴散金氧半導體元件，其中還包括一柵氧化層，位于該柵極與該外延層之間。

11.根據權利要求1所述的橫向擴散金氧半導體元件，其中該第一導電型為P型，該第二導電型為N型；或該第一導電型為N型，該第二導電型為P型。

12.一種減少表面電場的結構，包括：

具有一第一導電型的一基底；

具有一第二導電型的一深井區(qū)，位于該基底中；

一隔離結構，位于該基底上；以及

至少一溝渠絕緣結構，位于該隔離結構下方的該深井區(qū)中；以及

具有該第一導電型的至少一摻雜區(qū)，位于該深井區(qū)中且環(huán)繞該溝渠絕緣結構的側壁及底面。

13.根據權利要求12所述的減少表面電場的結構，其中還包括具有該第二導電型的一埋層，位于該深井區(qū)下方的該基底中。

14.根據權利要求13所述的減少表面電場的結構，其中該摻雜區(qū)與該隔離結構及該埋層實體連接。

15.根據權利要求13所述的減少表面電場的結構，其中該摻雜區(qū)與該隔離結構實體連接，但未與該埋層實體連接。

16.根據權利要求12所述的減少表面電場的結構，其中該摻雜區(qū)與該隔離結構及該基底實體連接。

17.根據權利要求12所述的減少表面電場的結構，其中該摻雜區(qū)與該隔離結構實體連接，但未與該基底實體連接。

18.根據權利要求12所述的減少表面電場的結構，其中該溝渠絕緣結構的材料包括氧化硅。

19.根據權利要求12所述的減少表面電場的結構，其中該隔離結構包括場氧化物結構或淺溝渠隔離結構。

20.根據權利要求12所述的減少表面電場的結構，其中該第一導電型為P型，該第二導電型為N型；或該第一導電型為N型，該第二導電型為P型。