[發明專利]薄膜電容器的制造方法以及由該方法獲得的薄膜電容器有效
| 申請號： | 201110178384.2 | 申請日： | 2011-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN102315025A | 公開（公告）日： | 2012-01-11 |
| 發明（設計）人： | 櫻井英章;渡邊敏昭;曾山信幸;G.古伊干 | 申請（專利權）人： | 三菱綜合材料株式會社;意法半導體公司 |
| 主分類號： | H01G4/33 | 分類號： | H01G4/33;H01G4/06;H01G4/14;H01G4/005 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 呂彩霞;艾尼瓦爾 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 電容器 制造 方法 以及 獲得 | ||
1.?制造薄膜電容器的方法，其包括：
在襯底（11）上形成絕緣膜（12）；
將粘合層（15）層壓至所述絕緣膜上；
在所述粘合層上形成下電極（14）；
將有機鋇化合物、有機鍶化合物和鈦的醇鹽溶解在有機溶劑中以獲得Ba:Sr:Ti的摩爾比?=?1?–?x:?x?:?y，將所得到的薄膜形成Ba1-xSrxTiyO3組合物涂覆到下電極上并干燥以由此形成涂層；
通過煅燒具有形成于其上的涂層的襯底而形成電介質薄膜（16）；以及
在電介質薄膜上形成上電極（17），其中：
將組合物涂覆到下電極上而無需在形成下電極后在高于300℃下進行退火過程；
干燥溫度為從環境溫度至500℃；
煅燒溫度為500至800℃；并且
在第一次煅燒之后形成的電介質薄膜的厚度為20至600?nm。
2.?根據權利要求1所述的制造薄膜電容器的方法，其中從涂覆至煅燒的過程進行至少一次。
3.?根據權利要求1所述的制造薄膜電容器的方法，其中從涂覆至干燥的過程進行至少兩次，然后煅燒進行一次。
4.?根據權利要求1所述的制造薄膜電容器的方法，其中下電極的厚度和在初次煅燒步驟之后形成的電介質薄膜的厚度之比（下電極厚度/電介質薄膜厚度）為0.10至15.0。
5.?用于根據權利要求1所述的制造方法的支撐體，其包括：
襯底；
在所述襯底上形成的絕緣膜；和
經由粘合層在所述絕緣膜上形成的下電極，其中：
下電極中的平均晶粒尺寸為100?nm或以下；
下電極對于（111）面、（001）面或（110）面具有優勢取向；
下電極的殘余應力為-2000至-100?MPa；并且
下電極厚度為50至600?nm。
6.?電子裝置，其包括使用根據權利要求1的制造方法獲得的薄膜電容器。
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