[發明專利]一種控制功放上下電的方法和系統

在審

• 申請號: 201110177433.0
• 申請日: 2011-06-28
• 公開（公告）號: CN102412815A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 申健
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 張穎玲;周義剛

技術領域

本發明涉及通信領域，具體涉及一種控制功放上下電的方法和系統。

背景技術

本發明涉及一種新型GaN?HEMT(HEMT：High?Electron?Mobility?Transistor高電子遷移率晶體管，基于GaN材料)功放的嚴格上下電時序控制的方法，尤其涉及(通訊)領域的GaN功放的應用。

目前，在射頻領域常用的功率放大器主要是LDMOS(Lateral?double-diffused?metal-oxide?semiconductor，橫向擴散金屬氧化物半導體場效應管)，此類功放管技術已相對成熟，效率和頻段的提升相對較難，而GaN這種新的材料則能夠將效率和頻段進一步提升。GaN為第三代半導體材料，具有寬帶半導體特性、高飽和電子遷移率以及更高的擊穿電壓；同時GaN材料還具備很高的熱傳導特性，這使得GaN功放管能夠承受更高的溫度，具有更高的功率容量。

GaN功放是最新的技術，各個公司對其的認識還不深入，在設計上都處于摸索階段，主要是借鑒LDMOS的調試經驗，但是GaN功放的柵壓供電時序與傳統的LDMOS完全不同，上下電順序也與LDMOS完全相反。如：傳統的功放柵壓供電時序由射頻拉遠單元(RRU)整機電源完成，該電源可以控制上電時漏壓與柵壓的順序，但只能控制上電順序，下電順序卻無法控制。這樣的情況直接導致GaN功放的燒毀。

可見，傳統的電源時序控制方式無法支持GaN功放的上下電。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種控制功放上下電的方法和系統，以實現GaN功放的上下電。

為達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

一種控制功放上下電的方法，該方法包括：

將表示控制電壓加載成功的信號轉換成合適電平的電壓信號，并對該電壓信號進行邏輯處理以產生驅動模塊使能信號；驅動模塊被使能，從而產生驅動信號，據此實現被控電壓的輸入或者關斷。

將信號轉換成合適電平的電壓信號的方法為：

對所述信號進行隔離轉換，以生成合適電平的電壓信號。

對所述電壓信號進行邏輯處理以產生驅動模塊使能信號的方法為：

對所述電壓信號進行邏輯處理，生成正確的邏輯信號以作為開啟或者關斷所述驅動模塊使能信號。

所述驅動模塊被使能，從而產生驅動信號，據此實現被控電壓的輸入或者關斷的方法為：

驅動模塊被使能，從而產生用于進行打開或關斷操作的驅動信號，根據該驅動信號打開或者關斷，以實現被控電壓的輸入或者關斷。

在將所述電壓信號轉換成合適電平的電壓信號之前，該方法還包括：判斷控制電壓是否加載成功：當負柵壓或正漏壓達到目標電壓值后，確認控制電壓已加載成功。

所述功放為GaN功放，或橫向擴散金屬氧化物半導體場效應管LDMOS，或GaAs功放。

一種控制功放上下電的系統，該系統包括電壓隔離轉換模塊、邏輯處理模塊、開關控制模塊；其中，

所述電壓隔離轉換模塊，用于將表示控制電壓加載成功的信號轉換成合適電平的電壓信號；

所述邏輯處理模塊，用于對所述電壓信號進行邏輯處理以產生驅動模塊使能信號；

所述開關控制模塊，用于使所述驅動模塊被使能，從而產生驅動信號，據此實現被控電壓的輸入或者關斷。

所述電壓隔離轉換模塊將所述信號轉換成合適電平的電壓信號時，用于：

對所述信號進行隔離轉換，以生成合適電平的電壓信號。

所述邏輯處理模塊對所述電壓信號進行邏輯處理以產生驅動模塊使能信號時，用于：

對所述電壓信號進行邏輯處理，生成正確的邏輯信號以作為可用的開啟或者關斷信號，該信號為驅動模塊使能信號。

所述開關控制模塊使所述驅動模塊被使能，從而產生驅動信號，據此實現被控電壓的輸入或者關斷時，用于：

使所述驅動模塊被使能，從而產生用于進行打開或關斷操作的驅動信號，根據該驅動信號打開或者關斷，以實現被控電壓的輸入或者關斷。

所述開關控制模塊包括開關驅動模塊、開關模塊；其中，

所述開關驅動模塊，用于使所述驅動模塊被使能，從而產生用于進行打開或關斷操作的驅動信號；

所述開關模塊，用于根據所述驅動信號打開或者關斷，以實現被控電壓的輸入或者關斷。

該系統還包括電壓比較模塊，用于在將所述信號轉換成合適電平的電壓信號之前，判斷控制電壓是否加載成功：