[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110176871.5
• 申請(qǐng)日: 2011-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN102842596A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳永初;洪崇祐;朱建文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周國(guó)城

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

一阱區(qū)；

一介電結(jié)構(gòu)，位于該阱區(qū)上，且具有相對(duì)的一第一介電側(cè)邊與一第二介電側(cè)邊，其中該介電結(jié)構(gòu)包括一第一介電部分與一第二介電部分，位于該第一介電側(cè)邊與該第二介電側(cè)邊之間；

一第一摻雜層，位于該第一介電部分與該第二介電部分之間的該阱區(qū)上；

一第二摻雜層，位于該第一摻雜層上；以及

一第一摻雜區(qū)，位于該第一介電側(cè)邊上的該阱區(qū)中，其中該阱區(qū)、該第一摻雜層與該第一摻雜區(qū)具有一第一導(dǎo)電型，該第二摻雜層具有相反于該第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型，一陰極被電性連接至該第一摻雜區(qū)，一陽極被電性連接至該第二介電側(cè)邊上的該阱區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更包括一介電島，位于該第一摻雜層與該第二摻雜層中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一摻雜層與該第二摻雜層是通過該阱區(qū)分成多個(gè)互相分開的摻雜條紋。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更包括一介電條紋，延伸于該第一介電部分與該第二介電部分之間，并將該第一摻雜層與該第二摻雜層分成多個(gè)互相分開的摻雜條紋。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括肖特基二極管與PN型二極管。

6.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

一阱區(qū)；

一介電結(jié)構(gòu)，位于該阱區(qū)上，且具有相對(duì)的一第一介電側(cè)邊與一第二介電側(cè)邊；

一第一摻雜區(qū)，位于該第一介電側(cè)邊上的該阱區(qū)中；以及

一第二摻雜區(qū)與一第三摻雜區(qū)，位于該第二介電側(cè)邊上的該阱區(qū)中，其中，該阱區(qū)與該第一摻雜區(qū)具有一第一導(dǎo)電型，該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)具有相反于該第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型，一陰極被電性連接至該第一摻雜區(qū)，一陽極被電性連接至位于該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)之間的該阱區(qū)、該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括肖特基二極管與PN型二極管。

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

形成一介電結(jié)構(gòu)于一阱區(qū)上，其中該介電結(jié)構(gòu)具有相對(duì)的一第一介電側(cè)邊與一第二介電側(cè)邊，該介電結(jié)構(gòu)包括一第一介電部分與一第二介電部分，位于該第一介電側(cè)邊與該第二介電側(cè)邊之間；

形成一第一摻雜層，其中該第一摻雜層位于該第一介電部分與該第二介電部分之間的該阱區(qū)上；

形成一第二摻雜層于該第一摻雜層上；以及

形成一第一摻雜區(qū)，其中該第一摻雜區(qū)位于該第一介電側(cè)邊上的該阱區(qū)中，該阱區(qū)、該第一摻雜層與該第一摻雜區(qū)具有一第一導(dǎo)電型，該第二摻雜層具有相反于該第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，更包括形成多個(gè)介電條紋，其中該多個(gè)介電條紋延伸于該第一介電部分與該第二介電部分之間，該第一摻雜層形成于該多個(gè)介電條紋之間的該阱區(qū)上。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

形成一介電結(jié)構(gòu)于一阱區(qū)上，其中該介電結(jié)構(gòu)具有相對(duì)的一第一介電側(cè)邊與一第二介電側(cè)邊；

形成一第一摻雜區(qū)，其中該第一摻雜區(qū)位于該第一介電側(cè)邊上的該阱區(qū)中；

形成一第二摻雜區(qū)與一第三摻雜區(qū)，其中該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)位于該第二介電側(cè)邊上的該阱區(qū)中，該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)是通過該阱區(qū)互相分開，該阱區(qū)與該第一摻雜區(qū)具有一第一導(dǎo)電型，該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)具有相反于該第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型。