[發(fā)明專利]一種超材料和超材料天線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110176783.5
• 申請日: 2011-06-28
• 公開（公告）號: CN102810752A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉若鵬;季春霖;岳玉濤
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;H01Q15/02;H01Q19/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超材料，其特征在于，相對設(shè)置于輻射源的電磁波傳播方向上，設(shè)輻射源與所述超材料第一表面上一點的連線與垂直于超材料的直線之間的夾角為θ，夾角θ唯一對應(yīng)所述超材料內(nèi)的一曲面，且夾角θ唯一對應(yīng)的曲面上每一處的折射率均相同，所述曲面的母線為拋物線弧；所述超材料的折射率隨著夾角θ的增大逐漸減小；電磁波經(jīng)過所述超材料后在所述超材料的第二表面平行射出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其特征在于，所述曲面的折射率分布滿足：

n(θ)=1S(θ)[F(1-1cosθ)+nmaxd];]]>

其中S(θ)為所述拋物線弧的弧長，F(xiàn)為所述輻射源到所述超材料的距離，d為所述超材料的厚度；n_max為所述超材料的最大折射率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超材料，其特征在于，所述拋物線弧的弧長S(θ)滿足：

S(θ)=d2[log(|tanθ|+1+tan2θ)+δ|tanθ|+δ+1+tan2θ];]]>

其中，δ為預(yù)設(shè)小數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2～3任一項所述的超材料，其特征在于，以經(jīng)過所述超材料第一表面的中心且垂直于所述超材料的直線為橫坐標軸，以經(jīng)過所述超材料第一表面的中心且平行于所述第一表面的直線為縱坐標軸，所述拋物線弧所在的拋物線方程為：

y(x)=tanθ(-12dx2+x+F).]]>