[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件制備過程中氮化硅層的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110176487.5
• 申請日: 2011-06-28
• 公開（公告）號: CN102243999A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張永福
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種半導(dǎo)體器件制備過程中氮化硅層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成基準(zhǔn)折射率的氮化硅層；

對所述氮化硅層進(jìn)行快速熱處理以改變所述氮化硅層的折射率。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備過程中氮化硅層的制備方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積的方式形成所述基準(zhǔn)折射率的氮化硅層。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備過程中氮化硅層的制備方法，其特征在于，所述快速熱處理過程的溫度范圍是800℃到1200℃。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件制備過程中氮化硅層的制備方法，其特征在于，在800℃到1200℃的溫度范圍內(nèi)，所述氮化硅層的折射率的增加幅度隨著溫度的升高而增加。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備過程中氮化硅層的制備方法，其特征在于，所述氮化硅層的折射率的增加幅度隨著快速熱處理過程的時間的增加而增加。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件制備過程中氮化硅層的制備方法，其特征在于，所述快速熱處理過程的時間范圍是0到150秒。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備過程中氮化硅層的制備方法，其特征在于，所述快速熱處理過程中，氮氣的流量范圍為0～20slm，氧氣的流量范圍為0～20slm。