[發明專利]薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法及鍍膜設備

在審

• 申請號: 201910048186.0
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN111463294A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 辛科;楊立紅
• 申請（專利權）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/24
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 劉昕;南霆

1.一種薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法，所述薄膜太陽能電池包括依次層疊設置的襯底、背電極層、堿金屬層、吸收層，其特征在于，所述堿金屬層的制備方法包括：

對已形成有所述背電極層的襯底進行加熱，調節襯底的溫度達到預設沉積溫度閾值；以及

對堿金屬源進行加熱，調節所述堿金屬源的加熱功率達到預設功率閾值，或調節所述堿金屬源的沉積速率達到預設沉積速率閾值；

根據所述襯底的溫度以及所述堿金屬源的加熱功率或沉積速率，在形成所述吸收層之前于背電極層遠離襯底的表面沉積預設厚度的堿金屬層。

2.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法，其特征在于，所述預設沉積速率閾值為0.05～0.8nm/s。

3.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法，其特征在于，所述預設沉積速率閾值為0.1～0.5nm/s。

4.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法，其特征在于，所述預設功率閾值為600～2000W。

5.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法，其特征在于，所述預設功率閾值為900～1500W。

6.根據權利要求2或4所述的薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法，其特征在于，所述預設沉積溫度閾值為200～500℃，所述預設厚度為2～100nm。

7.根據權利要求3或5所述的薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法，其特征在于，所述預設沉積溫度閾值為300～480℃，所述預設厚度為10～50nm。

8.根據權利要求1～7任一項所述的薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法，其特征在于，在所述堿金屬源中填充固態的堿金屬化合物，將襯底加熱至達到預設沉積溫度閾值，并將固態的堿金屬化合物加熱至加熱功率達到預設功率閾值，或將固態的堿金屬化合物加熱至沉積速率達到預設沉積速率閾值，使固態的堿金屬化合物蒸發形成氣態的堿金屬陽離子和陰離子，并沉積在所述背電極層遠離襯底的表面上。

9.根據權利要求1～8所述的薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法，其特征在于：所述堿金屬源具有偶數排，偶數排堿金屬源設置于鍍膜腔室內，且沿著所述鍍膜腔室的幅長方向，所述偶數排堿金屬源對稱設置在所述鍍膜腔室的兩側。

10.根據權利要求9所述的薄膜太陽能電池堿金屬層的制備方法，其特征在于，所述堿金屬源的中心線與參考線之間的夾角為16～50°，所述參考線為垂直于所述鍍膜腔室的底部的直線。

11.一種采用如1～10任一項所述的制備方法制備薄膜太陽能電池堿金屬層的鍍膜設備，其特征在于，所述鍍膜設備包括堿金屬源、第一加熱器和第二加熱器；所述堿金屬源內填充有堿金屬化合物原料；

控制器用于控制所述第一加熱器加熱襯底，使襯底的溫度達到預設溫度閾值，控制所述第二加熱器加熱堿金屬源，使堿金屬源的加熱功率達到第一預設功率閾值或堿金屬源的沉積速率達到第一預設沉積速率閾值。