[發(fā)明專(zhuān)利]一種制備氧化鎵一維亞微米結(jié)構(gòu)紫外傳感器的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110174575.1
• 申請(qǐng)日: 2011-06-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102222730A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝維昌;辛憲棟;程晉陽(yáng);王天民
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 北京慧泉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11232
• 代理人: 王順榮;唐愛(ài)華

1.一種制備氧化鎵一維亞微米結(jié)構(gòu)紫外傳感器的方法，其特征在于：該方法具體步驟如下：

步驟一：首先將金屬鎵放于SiC襯底上，然后將載有金屬鎵的SiC襯底放于管式爐中的加熱區(qū)域，常壓下封閉管式爐兩端；開(kāi)始升溫，加熱區(qū)域升溫速率控制在10℃/min；

步驟二：在加熱區(qū)域的溫度到達(dá)500℃之前，給管式爐內(nèi)通入流量為100ml/分鐘的氬氣，并繼續(xù)加熱；待溫度升至900-1000℃時(shí)，開(kāi)始保溫1-3小時(shí)；

步驟三：冷卻至室溫，即得到白色絮狀產(chǎn)物——氧化鎵Ga₂O₃一維亞微米結(jié)構(gòu)；

步驟四：在顯微鏡下，利用半導(dǎo)體探針將已經(jīng)制備成功的在SiC基底上的Ga₂O₃一維亞微米結(jié)構(gòu)單根或者多根挑出并置于傳感器基底上；

步驟五：將該傳感器基底上的全部Ga₂O₃一維亞微米結(jié)構(gòu)利用金屬掩模壓實(shí)在基底上并固定，并利用磁控濺射或者熱蒸發(fā)鍍膜裝置蒸鍍Au或Ag制作電極；

步驟六：將已經(jīng)制作好的電極連接導(dǎo)線，并使用半導(dǎo)體器件封裝專(zhuān)用膠水進(jìn)行封裝，保證導(dǎo)線，電極和Ga₂O₃一維亞微米結(jié)構(gòu)的良好接觸，此即完成氧化鎵一維亞微米結(jié)構(gòu)紫外傳感器的制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求所述的一種制備氧化鎵一維亞微米結(jié)構(gòu)紫外傳感器的方法，其特征在于：步驟五中所述的利用磁控濺射制作電極時(shí)的技術(shù)參數(shù)為：工作腔室氣壓低于8.0×10-⁴Pa；極低溫度為室溫，固定不動(dòng)；濺射功率為68W；靶基距為9.5cm；濺射持續(xù)時(shí)間為290-310s。

3.根據(jù)權(quán)利要求所述的一種制備氧化鎵一維亞微米結(jié)構(gòu)紫外傳感器的方法，其特征在于：步驟五中所述的利用熱蒸發(fā)鍍膜裝置制作電極時(shí)的技術(shù)參數(shù)為：工作腔室氣壓低于5.0×10-³Pa；基底溫度為室溫，轉(zhuǎn)速15轉(zhuǎn)/分鐘；金屬鉬舟蒸發(fā)電流100A；基底與蒸發(fā)源距離39cm；蒸發(fā)持續(xù)時(shí)間170-190s。