[發(fā)明專利]打線接合結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110174513.0
• 申請日: 2011-06-27
• 公開（公告）號: CN102790160A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設計）人: 宋佳明;戴文婉;陳怡君
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發(fā)明涉及一種打線接合結構，且特別是涉及一種具有導電性及透光性的透明導線的打線接合結構。

背景技術

發(fā)光二極管(Light-Emitting?Diode，LED)具有壽命長、體積小、發(fā)熱度小以及耗電量低等優(yōu)點，以往發(fā)光二極管被應用于指示燈或小型發(fā)光源上。近年來，由于發(fā)光二極管朝向多色彩以及高亮度化發(fā)展，發(fā)光二極管的應用范圍已拓展至大型戶外顯示看板及交通號志燈等，傳統(tǒng)光源已逐漸被發(fā)光二極管所取代，成為兼具省電和環(huán)保功能的照明燈源。

請參照圖1，其繪示傳統(tǒng)一種表面粘著型發(fā)光二極管封裝結構的示意圖。發(fā)光二極管封裝結構100包括一發(fā)光元件101、一承載器102、一封裝膠體130、一透明膠體140以及兩條金線110、120。發(fā)光元件101配置于封裝膠體130的一凹槽132中，并位于承載器102上。承載器102包括一芯片座103以及兩個引腳104、105。發(fā)光元件101配置于芯片座103上并通過兩條金線110、120與兩個引腳104、105電連接。此外，兩個引腳104、105分別穿過封裝膠體130并延伸出凹槽132之外，并通過焊料152與基板150電連接，以接收一電流。因此，發(fā)光元件101可通過兩個引腳104、105所接收的電流而電致發(fā)光。此外，透明膠體140填入于凹槽132中并覆蓋顯露于凹槽132中的發(fā)光元件101、兩條金線110、120、芯片座103以及兩個引腳104、105。

然而，利用金線來傳導輸入的電流，因成本及吸光性的考量，使用的金線的線徑不會太大，常造成許多應用上的困擾及限制。例如：若使用二元透明膠體(固態(tài)及液態(tài))時，其界面之間熱膨脹系數(shù)(CTE)的差異，導致金線受拉扯而斷裂。若使用防水性效果較好的透明膠體，通常也伴隨較高的熱膨脹系數(shù)，因此在進行冷熱循環(huán)測試時常導致產(chǎn)品失效。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種打線接合結構，是利用具導電特性及透光性的透明導線取代傳統(tǒng)所使用的金線。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種打線接合結構，用以電連接一電子元件以及一承載器。電子元件具有一第一電極，承載器具有一第一導電支架。其特征在于，打線接合結構包括第一透明導線。第一透明導線電連接于第一電極與第一導電支架之間。

根據(jù)本發(fā)明的一實施例，電子元件還具有一第二電極，承載器還具有一第二導電支架。其特征在于，打線接合結構更包括一第二透明導線，電連接于第二電極與第二導電支架之間。

為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)一種表面粘著型發(fā)光二極管封裝結構的示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例的打線接合結構的示意圖；

圖3為本發(fā)明一實施例的透明導線的局部放大示意圖；

圖4為本發(fā)明一實施例的打線接合結構的示意圖；

圖5為本發(fā)明一實施例的打線接合結構的示意圖。

主要元件符號說明

100：發(fā)光二極管封裝結構

101：發(fā)光元件

102：承載器

103：芯片座

104、105：引腳

110、120：金線

130：封裝膠體

132：凹槽

140：透明膠體

150：基板

152：焊料

200：芯片封裝結構

201：電子元件

202、402：第一電極

203：承載器

204、304、404：第一導電支架

205、305、405：第二導電支架

208、408：第二電極

210、410：第一透明導線

212：透明導電層

214：導線芯材

220、420：第二透明導線

230：封裝膠體

232：凹槽

240：透明膠體

301：砷化鎵發(fā)光二極管

302：上電極

306：半導體材料層

307：發(fā)光外延層

308：下電極

310：透明導線

401：氮化鎵發(fā)光二極管

406：第一半導體材料層

407：發(fā)光外延層

409：第二半導體材料層

A：區(qū)域

具體實施方式