[發(fā)明專利]陣列化圖形細(xì)胞的電調(diào)控方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110173610.8
• 申請日: 2011-06-24
• 公開（公告）號: CN102286646A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王娟;裴為華;郭凱;陳弘達(dá)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: C12Q3/00
• 分類號: C12Q3/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種陣列化圖形細(xì)胞的電調(diào)控方法，其是結(jié)合了電極陣列和傳統(tǒng)細(xì)胞圖案化技術(shù)，利用電極尋址功能，實(shí)現(xiàn)在時間和空間上對多種細(xì)胞行為的操控，包括如下步驟：

步驟1：取一襯底；

步驟2：在襯底上制備電極陣列，該電極陣列包括接點(diǎn)和與之連接的連線；

步驟3：在襯底的表面和電極陣列的連線上制備絕緣層，該絕緣層的面積小于襯底的面積，使襯底的四邊未覆蓋絕緣層，各接點(diǎn)上未覆蓋絕緣層，形成一基底；

步驟4：在基底的上表面進(jìn)行化學(xué)修飾，使基底上的電極陣列的表面具有細(xì)胞粘附性質(zhì)的粘附層，使基底上的絕緣層具有抗粘附性質(zhì)的抗粘附層，該粘附層可通過電控從表面解吸附；

步驟5：在具有粘附層和抗粘附層的基底上種植第一種細(xì)胞，該細(xì)胞選擇性的粘附在粘附層的表面；

步驟6：在電極陣列中的單個電極或者電極組合上施加電壓，由于單個電極或者電極組合表面的粘附層與電極表面解吸附，使施加電壓的粘附層上的細(xì)胞脫落，露出電極表面；

步驟7：在細(xì)胞脫落的電極表面，種植第二種細(xì)胞；

步驟8：在未施加電壓的電極上通過重復(fù)步驟6、7的細(xì)胞解吸附和種植細(xì)胞的步驟，控制多種種植細(xì)胞的圖案化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列化圖形細(xì)胞的電調(diào)控方法，其中所述襯底的材料為硅、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列化圖形細(xì)胞的電調(diào)控方法，其中電極陣列中的電極接點(diǎn)的形狀是任意形狀，其尺寸為1微米到1分米之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列化圖形細(xì)胞的電調(diào)控方法，其中所述的化學(xué)修飾使用的修飾材料為兩類分子，一種是可與導(dǎo)電材料的表面特異性或非特異性鍵合且電控響應(yīng)解吸附的分子，形成粘附層，另一種是可在絕緣層表面非特異性或者特異性吸附并抗拒細(xì)胞貼附的分子，形成抗粘附層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列化圖形細(xì)胞的電調(diào)控方法，其中粘附層的組成分子中含有RGD和巰基或者半胱氨酸的分子，抗粘附層的組成分子中一端為聚賴氨酸另一端為聚乙二醇的分子，粘附層和抗粘附層兩類分子為單一溶液或者混合溶液，將處理后的電基底分別浸泡在單一溶液或者混合溶液中，浸泡0.1-48小時。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列化圖形細(xì)胞的電調(diào)控方法，其中所述的施加電壓的范圍為負(fù)0.8V到負(fù)1.8V之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列化圖形細(xì)胞的電調(diào)控方法，其中所述第一種細(xì)胞、第二種細(xì)胞和多種細(xì)胞是任何貼壁細(xì)胞。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列化圖形細(xì)胞的電調(diào)控方法，其中所述電極陣列的數(shù)量為1×1至100×100。