[發明專利]p-ZnO和n-GaN組合的ZnO基端發射激光器及制備方法

有效

• 申請號: 201110173437.1
• 申請日: 2010-10-09
• 公開（公告）號: CN102263369A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 杜國同;夏曉川;趙旺;梁紅偉;張寶林
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01S5/18
• 分類號: H01S5/18;H01S5/20;H01S5/10
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 張景林;劉喜生

1.一種p-ZnO和n-GaN組合的ZnO基端發射激光器，其芯片依次由襯底(1)、襯底(1)上外延生長的n型GaN外延層(2)、n型在GaN外延層(2)上制備的p型ZnO基材料發光層(4)、在p型ZnO基材料發光層(4)上面制備的上電極(6)構成，其特征在于：襯底(1)是導電的GaAs晶體片、導電的InP晶體片、導電的SiC晶體片或導電的GaN晶體片，其導電類型和GaN外延層(2)的導電類型相同，同時在襯底(1)的下面制備有下電極(5)；由芯片解理的前、后端面構成前反射鏡(8)和后反射鏡(9)，激光器在前反射鏡(8)和后反射鏡(9)出光。

2.如權利要求1所述的一種p-ZnO和n-GaN組合的ZnO基端發射激光器，其特征在于：在n型GaN外延層(2)和p型ZnO基材料發光層(4)間制備有Ga₂O₃或n型AlGaN電流下限制層(3)。

3.如權利要求1所述的一種p-ZnO和n-GaN組合的ZnO基端發射激光器，其特征在于：p型ZnO基材料發光層(4)的材料為ZnO、ZnMgO、ZnBeO、ZnCdO或ZnNiO。

4.權利要求1、2或3所述的一種p-ZnO和n-GaN組合的ZnO基端發射激光器的制備方法，其特征在于：n型GaN外延層(2)、p型ZnO基材料發光層(4)均使用MOCVD方法進行制備。