[發明專利]一種太陽電池P型表面的鈍化層的制備方法無效
| 申請號： | 201110173061.4 | 申請日： | 2011-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN102254990A | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發明（設計）人： | 王登志;王栩生;章靈軍 | 申請（專利權）人： | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯（中國）投資有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海鋒;陸金星 |
| 地址： | 215129 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽電池 表面 鈍化 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種太陽電池P型表面的鈍化層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)?采用真空蒸鍍的方法在太陽電池P型表面上制備鋁膜；
(2)?利用陽極氧化法對上述鋁膜進行氧化，形成氧化鋁；
(3)?高溫退火，即可得到氧化鋁鈍化層。
2.根據權利要求1所述的太陽電池P型表面的鈍化層的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中鋁膜的厚度為10~30?nm。
3.根據權利要求1所述的太陽電池P型表面的鈍化層的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中的真空蒸鍍是在真空室中進行，其真空度為10-4~10-5?mbar。
4.根據權利要求1所述的太陽電池P型表面的鈍化層的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中，以表面鍍有鋁膜的硅片為陽極，以石墨、鉑或釕為陰極，在電解液中加電壓進行陽極氧化，形成氧化鋁。
5.根據權利要求4所述的太陽電池P型表面的鈍化層的制備方法，其特征在于：所述電解液選自草酸、硝酸和硫酸中的一種或幾種，其濃度為0.2~1?mol/L。
6.根據權利要求1所述的太陽電池P型表面的鈍化層的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中的退火溫度為200~500?℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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