[發(fā)明專利]一種SIM卡及其射頻識別系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110172890.0
• 申請日: 2011-06-24
• 公開（公告）號: CN102799929A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉若鵬;徐冠雄
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;G06K7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種SIM卡，包括信號感應(yīng)和接收模塊、SIM卡主控模塊、射頻收發(fā)模塊，其特征在于：還包括超材料射頻天線，所述SIM卡主控模塊處理所述信號感應(yīng)和接收模塊接收到的信號，所述SIM卡主控模塊的指令和數(shù)據(jù)通過所述射頻收發(fā)模塊轉(zhuǎn)換后通過所述超材料射頻天線發(fā)送出去，所述射頻收發(fā)模塊還通過所述超材料射頻天線接收外部設(shè)備的指令和數(shù)據(jù)并交由所述SIM卡主控模塊處理；所述超材料射頻天線包括介質(zhì)基板、附著在介質(zhì)基板相對兩表面的第一金屬片及第二金屬片，圍繞第一金屬片設(shè)置有第一饋線，圍繞第二金屬片設(shè)置有第二饋線，所述第一饋線及第二饋線通過耦合方式分別饋入所述第一金屬片及第二金屬片，所述第一金屬片及第二金屬片上分別形成有第一微槽結(jié)構(gòu)及第二微槽結(jié)構(gòu)，所述第一饋線與第二饋線電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的SIM卡，其特征在于：所述SIM卡還包括卡基板，所述信號感應(yīng)和接收模塊、所述SIM卡主控模塊、所述射頻收發(fā)模塊和所述超材料射頻天線均一體封裝于所述卡基板內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的SIM卡，其特征在于：所述第一微槽結(jié)構(gòu)包括互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)、開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)以及通過前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合、組合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1或2所述的SIM卡，其特征在于：所述第二微槽結(jié)構(gòu)包括互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)、開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)以及通過前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合、組合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的SIM卡，其特征在于：所述第一金屬片與第一饋線之間通過容性耦合方式饋電，所述第二金屬片與第二饋線之間通過容性耦合方式饋電。

6.如權(quán)利要求1所述的SIM卡，其特征在于：所述第一微槽結(jié)構(gòu)及第二微槽結(jié)構(gòu)通過蝕刻、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻分別形成于所述第一金屬片及所述第二金屬片上。

7.如權(quán)利要求1所述的SIM卡，其特征在于：所述第一饋線與所述第二饋線通過金屬化通孔電連接。

8.如權(quán)利要求1所述的SIM卡，其特征在于：所述SIM卡還包括接口模塊，所述接口模塊與所述SIM卡主控模塊電連接使得所述SIM卡通過所述接口模塊與移動終端交換數(shù)據(jù)。

9.如權(quán)利要去8所述的SIM卡，其特征在于：所述移動終端使用GSM、CDMA、3G或4G通信網(wǎng)絡(luò)的手機(jī)。

10.一種射頻識別系統(tǒng)，包括閱讀器以及應(yīng)答器，其特征在于：所述應(yīng)答器為權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的SIM卡。