[發明專利]利用圖案化晶格緩沖層的氮化物基發光器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110169459.0
• 申請日: 2011-06-22
• 公開（公告）號: CN102651435A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 陳周;樸健
• 申請（專利權）人: 半材料株式會社;樸健
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/16;H01L33/00
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 林錦輝;陳英俊

1.一種氮化物基發光器件，包含基板上的緩沖層和發光結構，所述氮化物基發光器件包括：

基板；

形成于所述基板上的緩沖層；以及

形成于所述緩沖層上且具有多層氮化物層的發光結構，

其中，空隙形成于所述基板與所述緩沖層之間。

2.根據權利要求1所述的氮化物基發光器件，其中，所述發光結構包括：

形成于所述緩沖層上的n型氮化物層；

形成于所述n型氮化物層上的發光活性層，以及

形成于所述發光活性層上的p型氮化物層。

3.根據權利要求2所述的氮化物基發光器件，其中，所述基板為n型硅基板。

4.根據權利要求3所述的氮化物基發光器件，其中，所述緩沖層為n型緩沖層。

5.根據權利要求1所述的氮化物基發光器件，其中，所述發光結構包括：

形成于所述緩沖層上的p型氮化物層；

形成于所述p型氮化物層上的發光活性層；以及

形成于所述發光活性層上的n型ZnO層。

6.根據權利要求5所述的氮化物基發光器件，其中，所述基板為p型硅基板。

7.根據權利要求6所述的氮化物基發光器件，其中，所述緩沖層為p型緩沖層。

8.一種制造氮化物基發光器件的方法，所述氮化物基發光器件包含基板上的緩沖層和發光結構，所述方法包括：

在基板上沉積具有纖鋅礦晶格結構的材料以形成沉積層；

在所述沉積層的表面上形成蝕刻圖案以形成圖案化的晶格緩沖層；以及

在所述圖案化的晶格緩沖層上生長多層氮化物層，以形成緩沖層和發光結構，

其中，生長所述多層氮化物層包括去除所述圖案化的晶格緩沖層以在所述多層氮化物層的去除了所述圖案化的晶格緩沖層的部分處形成空隙。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述沉積層由ZnO形成。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述沉積層通過MOCVD形成。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述沉積層通過濺射形成。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，生長所述多層氮化物層首先在氮氣氛下執行，然后在氫氣氛下執行。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述基板為硅基板或藍寶石基板。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，所述圖案化的晶格緩沖層通過光刻和蝕刻來形成。